épitaxie d'arséniure-phosphure de gallium

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Structures épitaxiales d'arséniure-phosphure de gallium, similaires aux structures produites du substrat de type ASP (ET0.032.512TU), pour la fabrication de cristaux LED rouges planaires.

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Structures épitaxiales d'arséniure-phosphure de gallium, similaires aux structures produites du substrat de type ASP (ET0.032.512TU), pour la fabrication de cristaux LED rouges planaires.

Paramètre technique de base
aux structures d'arséniure-phosphure de gallium

1, Substrat GaAs
a. Type de conductivité	électronique
b. Résistivité, ohm-cm	0,008
c. Orientation du réseau cristallin	(100)
d. Désorientation de surface	(1−3)°

2. Couche épitaxiale GaAs1-x Px
a. Type de conductivité	électronique
b. Teneur en phosphore dans la couche de transition	de x = 0 à x ≈ 0,4
c. Teneur en phosphore dans une couche de composition constante	x ≈ 0,4
d. Concentration de porteurs, cm3	(0,2−3,0)·1017
e. Longueur d'onde au maximum du spectre de photoluminescence, nm	645−673 nm
f. Longueur d'onde au maximum du spectre d'électroluminescence	650−675 nm
g. Épaisseur de couche constante, micron	Au moins 8 nm
h. Épaisseur de couche (totale), micron	Au moins 30 nm

Plaque 3 avec couche épitaxiale
a. Déviation, micron	Au maximum 100 µm
b. Épaisseur, micron	360−600 µm
c. Centimètre carré	Au moins 6 cm²
d. Intensité lumineuse spécifique (après diffusion du zinc), cd/ampère	Au moins 0,05 cd/ampère