OEM-Lieferant aus China: Ausgezeichnetes grünes SiC-Siliciumcarbid für gebundene Beschichtungen

Kurzbeschreibung:

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt Bauteile mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre. Mittels CVD- oder CVI-SiC-Beschichtung wird Graphit für einfache wie komplexe Bauteile aufgebracht. Die Beschichtung ist in verschiedenen Schichtdicken und auch auf sehr großen Bauteilen möglich.


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Modellnummer:
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter / Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5 ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    Um die überdurchschnittlichen Kundenerwartungen zu erfüllen, verfügen wir über ein leistungsstarkes Team, das umfassende Unterstützung bietet. Diese umfasst Marketing, Vertrieb, Entwicklung, Produktion, exzellentes Management, Verpackung, Lagerung und Logistik für die Lieferung von hochwertigem, grünem Siliziumkarbid (Sic) aus China für gebundene beschichtete Schleifmittel. Hohe Qualität, pünktlicher Service und wettbewerbsfähige Preise haben uns trotz des starken internationalen Wettbewerbs einen hervorragenden Ruf im Bereich der Hochleistungsmaterialien eingebracht.

    Produktbeschreibung

    Zu den besonderen Vorteilen unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren zählen extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und eine ausgezeichnete Lebensdauer. Sie weisen zudem eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

    Die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Bauteil mit überlegener Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
    CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Bauteilen mit einfacher oder komplexer Konstruktion aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Schichtdicken und auf sehr großen Bauteilen erfolgen.

    SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor

    Merkmale:
    • Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
    • Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
    • Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
    • Höchste Reinheit
    • Verfügbarkeit in komplexen Formen
    • Anwendbar unter oxidierender Atmosphäre

    Anwendung:

    2

     

    Typische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:

    Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm³
    Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
    Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm²)
    Shore-Härte: 58
    Asche: <5 ppm
    Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für angewandte und LPE-Anlagen, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Anlagen sowie Single-Wafer-Suszeptoren für angewandte und ASM-Anlagen. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialexpertise und Fertigungs-Know-how bietet VET das optimale Design für Ihre Anwendung.

     


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