SiC-Beschichtung von Graphit-MOCVD-Waferträgern, Graphit-Suszeptoren für die SiC-Epitaxie,
Kohlenstoff liefert Suszeptoren, Graphit-Suszeptoren, Graphitschalen, SiC-Epitaxie, Wafer-Suszeptoren,
Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien sowie stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus.
Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.
Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.
Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.
Anwendung:
Hauptmerkmale:
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1700 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:
SiC-CVD | ||
Dichte | (g/cc)
| 3.21 |
Biegefestigkeit | (MPa)
| 470 |
Wärmeausdehnung | (10-6/K) | 4
|
Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Lieferfähigkeit:
10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Karton + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit:
Menge (Stück) | 1 – 1000 | >1000 |
Schätzung: Zeit (Tage) | 15 | Zu verhandeln |