SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Wafer-Träger, Graphit-Suszeptoren fürSiC-Epitaxie,
Kohlenstoff liefert Suszeptoren, Graphit-Epitaxie-Suszeptoren, Trägersubstrate aus Graphit, MOCVD-Suszeptor, SiC-Epitaxie, Wafer-Suszeptoren,

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Anwendung:

Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Kohlenstoff liefert Suszeptorenund Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für Anwendungs- und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Einzelwafer-Suszeptoren für Anwendungs- und ASM-Einheiten. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialkompetenz und Fertigungs-Know-how bietet SGL bietet das optimale Design für Ihre Anwendung.