SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter,Siliziumkarbidbeschichtung,MOCVD-Suszeptor,
MOCVD-Suszeptor, SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter, Siliziumkarbid-Beschichtung,
Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen.Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.
Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre
Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:
Scheinbare Dichte: | 1,85 g/cm3 |
Elektrischer widerstand: | 11 μΩm |
Biegefestigkeit: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Shore-Härte: | 58 |
Asche: | <5 ppm |
Wärmeleitfähigkeit: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
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F1: Wie hoch sind Ihre Preise?
Unsere Preise können sich je nach Angebot und anderen Marktfaktoren ändern.Wir senden Ihnen eine aktualisierte Preisliste zu, nachdem Ihr Unternehmen uns für weitere Informationen kontaktiert hat.
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