SiC-Beschichtung beschichtet ausGraphitsubstrat für Halbleiter,Siliziumkarbidbeschichtung,MOCVD-Suszeptor,
Graphitsubstrat, Graphitsubstrat für Halbleiter, MOCVD-Suszeptor, Siliziumkarbid-Beschichtung,

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

SiC-Beschichtung vonGraphitsubstrat für HalbleiterAnwendungen erzeugen ein Teil mit hervorragender Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für Anwendungs- und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Einzelwafer-Suszeptoren für Anwendungs- und ASM-Einheiten. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialkompetenz und Fertigungs-Know-how bietet SGL bietet das optimale Design für Ihre Anwendung.

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