SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter, Siliziumkarbidbeschichtung, MOCVD-Suszeptor

Kurzbeschreibung:

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt Bauteile mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre. Mittels CVD- oder CVI-SiC-Beschichtung wird Graphit für einfache wie komplexe Bauteile aufgebracht. Die Beschichtung ist in verschiedenen Schichtdicken und auch auf sehr großen Bauteilen möglich.

Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)

Modellnummer:Modellnummer:

Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit

Biegefestigkeit:470 MPa

Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK

Qualität:Perfekt

Funktion:CVD-SiC

Anwendung:Halbleiter / Photovoltaik

Dichte:3,21 g/cm³

Wärmeausdehnung:4 10-6/K

Asche: <5 ppm

Probe:Verfügbar

HS-Code:6903100000

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Produktdetails

Produkt-Tags

SiC-BeschichtungGraphitsubstrat für HalbleiterSiliziumkarbidbeschichtungMOCVD-Suszeptor,
Graphitsubstrat, Graphitsubstrat für Halbleiter, MOCVD-Suszeptor, Siliziumkarbidbeschichtung,

Zu den besonderen Vorteilen unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren zählen extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und eine ausgezeichnete Lebensdauer. Sie weisen zudem eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

SiC-BeschichtungGraphitsubstratFür Halbleiteranwendungen wird ein Bauteil mit überlegener Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre hergestellt.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Bauteilen mit einfacher oder komplexer Konstruktion aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Schichtdicken und auf sehr großen Bauteilen erfolgen.

SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor

Merkmale:
• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
• Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
• Höchste Reinheit
• Verfügbarkeit in komplexen Formen
• Anwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Typische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:

Scheinbare Dichte:	1,85 g/cm³
Elektrischer Widerstand:	11 μΩm
Biegefestigkeit:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Härte:	58
Asche:	<5 ppm
Wärmeleitfähigkeit:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für angewandte und LPE-Anlagen, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Anlagen sowie Single-Wafer-Suszeptoren für angewandte und ASM-Anlagen. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialexpertise und Fertigungs-Know-how bietet SGL das optimale Design für Ihre Anwendung.

SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor