Laufsuszeptorist eine Kernkomponente in Halbleiter-Epitaxieverfahren wie MOCVD, MBE und CVD. Sie dient hauptsächlich dazu, Wafer in Hochtemperatur-Reaktionskammern zu transportieren und ein gleichmäßiges und stabiles Temperaturfeld zu erzeugen, um die präzise Abscheidung von Epitaxieschichten (z. B. GaN, SiC) zu gewährleisten. Ihre Hauptfunktion besteht darin, durch präzise Temperaturfeldsteuerung eine hohe Gleichmäßigkeit der Waferoberflächentemperatur zu erzielen und dadurch die Gleichmäßigkeit von Dicke, Dotierungskonzentration und Kristallstruktur der Epitaxieschichten sicherzustellen.
Wir nutzen unsere patentierte Technologie, um dieLaufsuszeptormit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.
VET Energy verwendet hochreines Graphit mit CVD-SiC-Beschichtung zur Verbesserung der chemischen Stabilität:
1. Hochreines Graphitmaterial
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von Graphit ist dreimal so hoch wie die von Silizium, wodurch Wärme schnell von der Heizquelle auf den Wafer übertragen und die Aufheizzeit verkürzt werden kann.
Mechanische Festigkeit: Isostatische Druckgraphitdichte ≥ 1,85 g/cm³, fähig, hohen Temperaturen über 1200 ℃ ohne Verformung standzuhalten.
2. CVD-SiC-Beschichtung
Durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) wird auf der Oberfläche von Graphit eine β-SiC-Schicht mit einer Reinheit von ≥ 99,99995 %, einem Ungleichmäßigkeitsfehler der Schichtdicke von weniger als ±5 % und einer Oberflächenrauheit von weniger als Ra 0,5 µm gebildet.
3. Leistungsverbesserung:
Korrosionsbeständigkeit: Kann stark korrosiven Gasen wie Cl2, HCl usw. standhalten und kann die Lebensdauer von GaN-Epitaxie in NH3-Umgebung um das Dreifache verlängern.
Thermische Stabilität: Der Wärmeausdehnungskoeffizient (4,5 × 10-6/℃) ist auf Graphit abgestimmt, um Risse in der Beschichtung durch Temperaturschwankungen zu vermeiden.
Härte und Verschleißfestigkeit: Die Vickers-Härte erreicht 28 GPa, was 10-mal höher ist als bei Graphit und das Risiko von Wafer-Kratzern verringern kann.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β-Phase多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2–10 μm |
| 纯度 Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 GPA 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermelLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung und Produktion von hochentwickelten Materialien konzentriert. Zu den Materialien und Technologien gehören Graphit, Siliciumcarbid, Keramik, Oberflächenbehandlungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung usw. Diese Produkte werden in großem Umfang in den Bereichen Photovoltaik, Halbleiter, neue Energien, Metallurgie usw. eingesetzt.
Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und hat zahlreiche patentierte Technologien entwickelt, um die Leistungsfähigkeit und Qualität der Produkte zu gewährleisten. Darüber hinaus können wir unseren Kunden professionelle Materiallösungen anbieten.
