Hochwertiges Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Auslegerpaddel für die Solar-Photovoltaikindustrie

Kurzbeschreibung:

Zu den besonderen Vorteilen unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren zählen extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und eine ausgezeichnete Lebensdauer. Sie weisen zudem eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

Wir halten bei der SiC-Beschichtung engste Toleranzen ein und verwenden hochpräzise Bearbeitung, um ein gleichmäßiges Suszeptorprofil zu gewährleisten. Wir fertigen außerdem Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert..

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Produktdetails

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Gut geführte Anlagen, ein erfahrenes Vertriebsteam und ein deutlich besserer Kundendienst – wir sind ein starkes, eng verbundenes Unternehmen, in dem jeder Einzelne den Unternehmenswerten „Zusammenhalt, Engagement und Toleranz“ verpflichtet ist. Wir bieten hochwertige Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Auslegerpaddel für die Photovoltaikindustrie an und heißen sowohl ausländische als auch inländische Geschäftspartner herzlich willkommen. Wir freuen uns auf eine zukünftige Zusammenarbeit!
Gut geführte Anlagen, ein erfahrenes Vertriebsteam und deutlich bessere Kundendienstleistungen; wir sind außerdem ein eng verbundenes Team, in dem sich jeder an die Unternehmenswerte „Zusammenhalt, Engagement, Toleranz“ hält.Feuerfeste Keramik und Keramikbrennöfen aus ChinaUm den individuellen Ansprüchen unserer Kunden an perfekten Service und gleichbleibend hohe Produktqualität gerecht zu werden, heißen wir Kunden aus aller Welt herzlich willkommen. Gemeinsam mit Ihnen möchten wir durch vielseitige Kooperation neue Märkte erschließen und eine erfolgreiche Zukunft gestalten!

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Suszeptoren halten und erwärmen Halbleiterwafer während der thermischen Verarbeitung. Ein Suszeptor besteht aus einem Material, das Energie durch Induktion, Leitung und/oder Strahlung absorbiert und den Wafer erhitzt. Seine Temperaturwechselbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit sind entscheidend für die schnelle thermische Verarbeitung (RTP). Siliziumkarbidbeschichteter Graphit, Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) werden je nach den spezifischen thermischen und chemischen Anforderungen häufig für Suszeptoren verwendet. PureSiC® CVD-SiC und ClearCarbon™ sind hochreine Materialien, die sich durch überlegene thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und Langlebigkeit auszeichnen.

Produktbeschreibung

Die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Bauteil mit überlegener Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Bauteilen mit einfacher oder komplexer Konstruktion aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Schichtdicken und auf sehr großen Bauteilen erfolgen.

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Technische Keramiken sind die ideale Wahl für thermische Prozesse in der Halbleiterindustrie, darunter RTP (Rapid Thermal Processing), Epitaxie (Epi), Diffusion, Oxidation und Temperung. CoorsTek bietet hochentwickelte Materialkomponenten, die speziell für den Einsatz bei hohen Temperaturen entwickelt wurden und thermischen Schocks standhalten. Sie zeichnen sich durch hohe Reinheit, Robustheit und reproduzierbare Leistung aus.

Merkmale:
• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
• Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
• Höchste Reinheit
• Verfügbarkeit in komplexen Formen
• Anwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Anwendung:

Bevor ein Wafer in elektronischen Bauelementen eingesetzt werden kann, muss er mehrere Schritte durchlaufen. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitsuszeptoren aufgebracht werden. Die Eigenschaften und die Qualität der Suszeptoren haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Typische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:

Scheinbare Dichte:	1,85 g/cm³
Elektrischer Widerstand:	11 μΩm
Biegefestigkeit:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Härte:	58
Asche:	<5 ppm
Wärmeleitfähigkeit:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)