Hochwertiges Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Cantilever-Paddel, das in der Solar-Photovoltaik-Industrie verwendet wird

Kurzbeschreibung:

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Bei der Aufbringung der SiC-Beschichtung halten wir sehr enge Toleranzen ein und verwenden eine hochpräzise Bearbeitung, um ein gleichmäßiges Suszeptorprofil zu gewährleisten. Wir produzieren auch Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

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Produktdetails

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Gut geführte Werkzeuge, ein professionelles Gewinnteam und viel bessere After-Sales-Produkte und -Dienstleistungen; Wir waren auch ein vereinter Hauptpartner und Kinder, jeder hält sich an die Unternehmensvorteile „Vereinigung, Hingabe, Toleranz“ für qualitativ hochwertiges Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Cantilever-Paddel, das in der Solar-Photovoltaik-Industrie verwendet wird. Wir heißen die beiden aus dem In- und Ausland herzlich willkommen Geschäftspartner und hoffen, bald und langfristig mit Ihnen zusammenarbeiten zu können!
Gut geführte Werkzeuge, ein professionelles Gewinnteam und viel bessere After-Sales-Produkte und -Dienstleistungen; Wir waren auch ein vereinter Ehepartner und Kinder, jeder hält sich an die Unternehmensvorteile „Vereinigung, Hingabe, Toleranz“.China Feuerfeste Keramik und Keramikofen, Um die Anforderungen einzelner Kunden an einen noch besseren Service und Produkte von stabiler Qualität zu erfüllen. Wir heißen Kunden auf der ganzen Welt herzlich willkommen, uns mit unserer vielfältigen Zusammenarbeit zu besuchen und gemeinsam neue Märkte zu erschließen und eine glänzende Zukunft zu schaffen!

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Suszeptoren halten und erhitzen Halbleiterwafer während der thermischen Bearbeitung. Ein Suszeptor besteht aus einem Material, das Energie durch Induktion, Leitung und/oder Strahlung absorbiert und den Wafer erhitzt. Seine Thermoschockbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit sind entscheidend für die schnelle thermische Verarbeitung (RTP). Abhängig von der spezifischen thermischen und chemischen Umgebung werden üblicherweise mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit, Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) für Suszeptoren verwendet. PureSiC® CVD SiC und ClearCarbon™ ultrareines Material, das überragende thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und Haltbarkeit bietet.

Produktbeschreibung

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Technische Keramik ist eine natürliche Wahl für thermische Verarbeitungsanwendungen von Halbleitern, einschließlich RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxie), Diffusion, Oxidation und Glühen. CoorsTek bietet fortschrittliche Materialkomponenten, die speziell dafür entwickelt wurden, Thermoschocks mit hochreiner, robuster und wiederholbarer Leistung bei hohen Temperaturen standzuhalten

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Anwendung:

Ein Wafer muss mehrere Schritte durchlaufen, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphit-Suszeptoren getragen werden. Die Eigenschaften und Qualität der Suszeptoren haben entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Scheinbare Dichte:	1,85 g/cm3
Elektrischer Widerstand:	11 μΩm
Biegefestigkeit:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore-Härte:	58
Asche:	<5ppm
Wärmeleitfähigkeit:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)