Poröse Siliciumcarbid-Keramik (SiC)
Poröse SiC-KeramikEs handelt sich um ein Hochleistungskeramikmaterial mit kontrollierbarer Porenstruktur, das sich durch höchste Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Temperaturwechselbeständigkeit und chemische Inertheit auszeichnet. Es findet breite Anwendung in zukunftsorientierten Bereichen wie der Halbleiterfertigung, der Herstellung von Siliziumwafern für die Photovoltaik und in Epitaxieprozessen der dritten Generation von Halbleitern (SiC/GaN).
VET Energy nutzt hochreines SiC-Pulver in Kombination mit fortschrittlicher Sintertechnologie, um eine präzise Porengrößenkontrolle (0,05–100 µm) zu erreichen und so vielfältige Anwendungsanforderungen in den Bereichen Filtration, Diffusion, Katalyse und Wärmemanagement zu erfüllen. Es ist die ideale Wahl für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie, um die Ausbeute zu steigern, Verunreinigungen zu reduzieren und Prozesse zu optimieren.
Unsere Kernvorteile
✅ Ultrahohe Reinheit:
Metallische Verunreinigungen <0,5 ppm, entsprechend den SEMI-Standards, wodurch eine Waferkontamination verhindert wird;
✅ Hohe Temperaturbeständigkeit (Dauerbetrieb bei 1600℃):
geeignet für Hochtemperaturumgebungen wie CVD, Diffusionsöfen und Siliziumschmelzen;
✅ Hohe Temperaturwechselbeständigkeit:
passt sich schnellen Temperaturänderungen an und reduziert so die Ausfallzeiten der Geräte.
✅ Chemische Inertheit (beständig gegen Säuren, Laugen und geschmolzene Metalle):
beständig gegen korrosive Gase wie HF und Cl₂, mit einer Lebensdauer, die die von Metallfiltern bei weitem übertrifft;
✅ Kontrollierte Porenstruktur (0,05-100 µm):
unterstützt die abgestufte Filtration und verbessert so die Effizienz des Flüssigkeitsflusses;
Typische Anwendung
1. Halbleiterfertigung: CVD/ALD-Gasfiltration, Diffusionsofen-Strömungsverteilungsplatten, Ätzabgasbehandlung usw.
2. Photovoltaikindustrie: Siliziummaterial-Schmelzfiltration, PERC-Zellen-Beschichtungsmasken usw.
3. Halbleiter der dritten Generation (SiC/GaN): Epitaxie-Vorbehandlung der Wafer.
| Eigenschaften von poröser SiC-Keramik | ||
| Artikel | Einheit | SiC poröse Keramik |
| Porendurchmesser | um | 10–30 |
| Dichte | g/cm³ | 1,2–1,3 |
| Oberflächenrauheit | um | 2,5–3 |
| Luftadsorptionswert | KPA | -45 |
| Biegefestigkeit | MPa | 30 |
| Dielektrizitätskonstante | 1 MHz | 33 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/(m·K) | 60–70 |
VET Energy ist ein professioneller Hersteller, der sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Produktion von hochwertigen, fortschrittlichen Materialien wie Graphit, Siliciumcarbid und Quarz sowie auf Materialbehandlungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung usw. spezialisiert hat. Die Produkte finden breite Anwendung in der Photovoltaik, der Halbleiterindustrie, der neuen Energiewirtschaft, der Metallurgie usw.
Unser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen daher professionellere Materiallösungen anbieten.
Zu den Vorteilen von VET Energy gehören:
• Eigene Fabrik und professionelles Labor;
• Branchenführende Reinheit und Qualität;
• Wettbewerbsfähiger Preis & Schnelle Lieferzeit;
• Zahlreiche Branchenpartnerschaften weltweit;
Wir freuen uns, Sie jederzeit in unserer Fabrik und unserem Labor begrüßen zu dürfen!
