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4 Milliarden! SK Hynix kündigt Investition in Halbleiter-Advanced-Packaging im Purdue Research Park an
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. kündigte Pläne an, fast 4 Milliarden US-Dollar in den Bau einer fortschrittlichen Verpackungsherstellungs- und Forschungs- und Entwicklungsanlage für Produkte mit künstlicher Intelligenz im Purdue Research Park zu investieren. Schaffung eines wichtigen Glieds in der US-amerikanischen Halbleiterlieferkette in West Lafayett ...Mehr lesen -
Die Lasertechnologie ist führend bei der Transformation der Siliziumkarbid-Substratverarbeitungstechnologie
1. Überblick über die Verarbeitungstechnologie für Siliziumkarbidsubstrate. Die aktuellen Verarbeitungsschritte für Siliziumkarbidsubstrate umfassen: Schleifen des äußeren Kreises, Schneiden, Anfasen, Schleifen, Polieren, Reinigen usw. Das Schneiden ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleitersubstraten.Mehr lesen -
Mainstream-Wärmefeldmaterialien: C/C-Verbundwerkstoffe
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe sind eine Art Kohlenstofffaser-Verbundwerkstoffe mit Kohlenstofffasern als Verstärkungsmaterial und abgeschiedenem Kohlenstoff als Matrixmaterial. Die Matrix von C/C-Verbundwerkstoffen ist Kohlenstoff. Da es fast ausschließlich aus elementarem Kohlenstoff besteht, weist es eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf...Mehr lesen -
Drei Haupttechniken für das SiC-Kristallwachstum
Wie in Abb. 3 dargestellt, gibt es drei vorherrschende Techniken, die darauf abzielen, SiC-Einkristalle mit hoher Qualität und Effizienz bereitzustellen: Flüssigphasenepitaxie (LPE), physikalischer Dampftransport (PVT) und chemische Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD). PVT ist ein etabliertes Verfahren zur Herstellung von SiC-Sin...Mehr lesen -
Kurze Einführung in Halbleiter-GaN der dritten Generation und verwandte Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Es ist die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und der integrierten Schaltkreistechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
23,5 Milliarden, Suzhous Super-Einhorn geht an die Börse
Nach 9 Jahren unternehmerischer Tätigkeit hat Innoscience insgesamt mehr als 6 Milliarden Yuan an Finanzierungen eingeworben, und sein Wert liegt bei erstaunlichen 23,5 Milliarden Yuan. Die Liste der Investoren ist so lang wie Dutzende von Unternehmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian ...Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalkarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Materialien?
Die Tantalkarbidbeschichtung ist eine häufig verwendete Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Materialien erheblich verbessern kann. Eine Tantalcarbid-Beschichtung kann durch verschiedene Vorbereitungsmethoden, wie chemische Gasphasenabscheidung, physikalische..., auf der Oberfläche des Substrats angebracht werden.Mehr lesen -
Einführung in den Halbleiter GaN der dritten Generation und die damit verbundene Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Es ist die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und der integrierten Schaltkreistechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
Numerische Simulationsstudie zum Einfluss von porösem Graphit auf das Kristallwachstum von Siliziumkarbid
Der grundlegende Prozess des SiC-Kristallwachstums gliedert sich in die Sublimation und Zersetzung von Rohmaterialien bei hoher Temperatur, den Transport von Substanzen in der Gasphase unter der Wirkung eines Temperaturgradienten und das Rekristallisationswachstum von Substanzen in der Gasphase am Impfkristall. Darauf aufbauend...Mehr lesen
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