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Kurze Einführung in Halbleiter-GaN der dritten Generation und verwandte Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Es ist die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und der integrierten Schaltkreistechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
23,5 Milliarden, Suzhous Super-Einhorn geht an die Börse
Nach 9 Jahren unternehmerischer Tätigkeit hat Innoscience insgesamt mehr als 6 Milliarden Yuan an Finanzierungen eingeworben, und sein Wert liegt bei erstaunlichen 23,5 Milliarden Yuan. Die Liste der Investoren ist so lang wie Dutzende von Unternehmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian ...Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalkarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Materialien?
Die Tantalkarbidbeschichtung ist eine häufig verwendete Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Materialien erheblich verbessern kann. Eine Tantalcarbid-Beschichtung kann durch verschiedene Vorbereitungsmethoden, wie chemische Gasphasenabscheidung, physikalische..., auf der Oberfläche des Substrats angebracht werden.Mehr lesen -
Einführung in den Halbleiter GaN der dritten Generation und die damit verbundene Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Es ist die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und der integrierten Schaltkreistechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
Numerische Simulationsstudie zum Einfluss von porösem Graphit auf das Kristallwachstum von Siliziumkarbid
Der grundlegende Prozess des SiC-Kristallwachstums gliedert sich in die Sublimation und Zersetzung von Rohmaterialien bei hoher Temperatur, den Transport von Substanzen in der Gasphase unter der Wirkung eines Temperaturgradienten und das Rekristallisationswachstum von Substanzen in der Gasphase am Impfkristall. Darauf aufbauend...Mehr lesen -
Arten von Spezialgraphit
Spezialgraphit ist ein hochreiner, dichter und hochfester Graphitwerkstoff mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit, hoher Temperaturstabilität und hervorragender elektrischer Leitfähigkeit. Es wird aus natürlichem oder künstlichem Graphit nach Hochtemperatur-Wärmebehandlung und Hochdruckverarbeitung hergestellt ...Mehr lesen -
Analyse von Geräten zur Dünnschichtabscheidung – die Prinzipien und Anwendungen von PECVD/LPCVD/ALD-Geräten
Bei der Dünnfilmabscheidung wird eine Filmschicht auf das Hauptsubstratmaterial des Halbleiters aufgetragen. Dieser Film kann aus verschiedenen Materialien bestehen, wie z. B. einer isolierenden Verbindung aus Siliziumdioxid, Halbleiter-Polysilizium, Metallkupfer usw. Die für die Beschichtung verwendete Ausrüstung wird als Dünnschichtabscheidung bezeichnet...Mehr lesen -
Wichtige Materialien, die die Qualität des monokristallinen Siliziumwachstums bestimmen – thermisches Feld
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und führt zu einer höheren Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten...Mehr lesen -
Was sind die technischen Schwierigkeiten des Siliziumkarbid-Kristallwachstumsofens?
Der Kristallwachstumsofen ist die Kernausrüstung für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum. Es ähnelt dem herkömmlichen Kristallwachstumsofen für kristallines Silizium. Der Ofenaufbau ist nicht sehr kompliziert. Es besteht hauptsächlich aus Ofenkörper, Heizsystem, Spulenübertragungsmechanismus ...Mehr lesen
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