Nachricht

Verschmutzungsquellen und Prävention in der Halbleiterfertigungsindustrie
von Admin am 24.08.13
Die Produktion von Halbleiterbauelementen umfasst hauptsächlich diskrete Bauelemente, integrierte Schaltkreise und deren Verpackungsprozesse. Die Halbleiterproduktion kann in drei Phasen unterteilt werden: Herstellung des Produktkörpermaterials, Herstellung des Produktwafers und Gerätemontage. Darunter,...
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Warum ist eine Ausdünnung nötig?
von Admin am 24.08.08
In der Back-End-Prozessphase muss der Wafer (Siliziumwafer mit Schaltkreisen auf der Vorderseite) vor dem anschließenden Zerteilen, Schweißen und Verpacken auf der Rückseite dünner gemacht werden, um die Montagehöhe des Gehäuses zu verringern, das Volumen des Chipgehäuses zu verringern und die thermische Leistung des Chips zu verbessern Diffusion...
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Syntheseverfahren für hochreines SiC-Einkristallpulver
von Admin am 24.08.08
Beim Wachstumsprozess von Siliziumkarbid-Einkristallen ist der physikalische Dampftransport die derzeit gängige Industrialisierungsmethode. Bei der PVT-Wachstumsmethode hat Siliziumkarbidpulver einen großen Einfluss auf den Wachstumsprozess. Alle Parameter von Siliziumkarbidpulver direkt...
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Warum enthält eine Waffelschachtel 25 Waffeln?
vom Administrator am 24.07.30
In der anspruchsvollen Welt der modernen Technologie sind Wafer, auch Siliziumwafer genannt, die Kernkomponenten der Halbleiterindustrie. Sie sind die Grundlage für die Herstellung verschiedener elektronischer Komponenten wie Mikroprozessoren, Speicher, Sensoren usw. und jeder Wafer...
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Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie
vom Administrator am 24.07.30
Während des Dampfphasenepitaxie-Prozesses (VPE) besteht die Aufgabe des Sockels darin, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses sicherzustellen. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden sind einige...
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Wie kann die Lebensdauer von mit Tantalkarbid beschichteten Produkten verlängert werden?
von Admin am 24.07.26
Mit Tantalcarbid beschichtete Produkte sind ein häufig verwendetes Hochtemperaturmaterial, das sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit usw. auszeichnet. Daher werden sie häufig in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Chemie und Energie eingesetzt. Um zu ex...
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Was ist der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD in Halbleiter-CVD-Geräten?
von Admin am 24.07.24
Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche eines Siliziumwafers durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Entsprechend den unterschiedlichen Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) kann es in verschiedene Geräte unterteilt werden ...
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Eigenschaften der Siliziumkarbid-Graphitform
von Admin am 24.07.18
Siliziumkarbid-Graphitform Die Siliziumkarbid-Graphitform ist eine Verbundform mit Siliziumkarbid (SiC) als Basis und Graphit als Verstärkungsmaterial. Diese Form verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und ...
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Halbleiterprozess, vollständiger Prozess der Fotolithographie
von Admin am 24.07.16
Die Herstellung jedes Halbleiterprodukts erfordert Hunderte von Prozessen. Wir unterteilen den gesamten Herstellungsprozess in acht Schritte: Waferverarbeitung – Oxidation – Photolithographie – Ätzen – Dünnschichtabscheidung – epitaktisches Wachstum – Diffusion – Ionenimplantation. Um Ihnen zu helfen...
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