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Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie
vom Administrator am 24.07.30
Während des Dampfphasenepitaxie-Prozesses (VPE) besteht die Aufgabe des Sockels darin, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses sicherzustellen. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden sind einige...
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Wie kann die Lebensdauer von mit Tantalkarbid beschichteten Produkten verlängert werden?
von Admin am 24.07.26
Mit Tantalcarbid beschichtete Produkte sind ein häufig verwendetes Hochtemperaturmaterial, das sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit usw. auszeichnet. Daher werden sie häufig in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Chemie und Energie eingesetzt. Um zu ex...
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Was ist der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD in Halbleiter-CVD-Geräten?
von Admin am 24.07.24
Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche eines Siliziumwafers durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Entsprechend den unterschiedlichen Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) kann es in verschiedene Geräte unterteilt werden ...
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Eigenschaften der Siliziumkarbid-Graphitform
von Admin am 24.07.18
Siliziumkarbid-Graphitform Die Siliziumkarbid-Graphitform ist eine Verbundform mit Siliziumkarbid (SiC) als Basis und Graphit als Verstärkungsmaterial. Diese Form verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und ...
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Halbleiterprozess, vollständiger Prozess der Fotolithographie
von Admin am 24.07.16
Die Herstellung jedes Halbleiterprodukts erfordert Hunderte von Prozessen. Wir unterteilen den gesamten Herstellungsprozess in acht Schritte: Waferverarbeitung – Oxidation – Fotolithographie – Ätzen – Dünnschichtabscheidung – epitaktisches Wachstum – Diffusion – Ionenimplantation. Um Ihnen zu helfen...
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4 Milliarden! SK Hynix kündigt Investition in fortschrittliche Halbleiterverpackungen im Purdue Research Park an
von Admin am 24.07.09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. kündigte Pläne an, fast 4 Milliarden US-Dollar in den Bau einer fortschrittlichen Verpackungsherstellungs- und Forschungs- und Entwicklungsanlage für Produkte mit künstlicher Intelligenz im Purdue Research Park zu investieren. Schaffung eines wichtigen Glieds in der US-amerikanischen Halbleiterlieferkette in West Lafayett ...
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Die Lasertechnologie ist führend bei der Transformation der Siliziumkarbid-Substratverarbeitungstechnologie
von Admin am 24.07.08
1. Überblick über die Verarbeitungstechnologie für Siliziumkarbidsubstrate. Die aktuellen Verarbeitungsschritte für Siliziumkarbidsubstrate umfassen: Schleifen des äußeren Kreises, Schneiden, Anfasen, Schleifen, Polieren, Reinigen usw. Das Schneiden ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleitersubstraten.
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Mainstream-Wärmefeldmaterialien: C/C-Verbundwerkstoffe
von Admin am 24.07.01
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe sind eine Art Kohlenstofffaser-Verbundwerkstoffe mit Kohlenstofffasern als Verstärkungsmaterial und abgeschiedenem Kohlenstoff als Matrixmaterial. Die Matrix von C/C-Verbundwerkstoffen ist Kohlenstoff. Da es fast ausschließlich aus elementarem Kohlenstoff besteht, weist es eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf...
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Drei Haupttechniken für das SiC-Kristallwachstum
von Admin am 24.07.01
Wie in Abb. 3 dargestellt, gibt es drei vorherrschende Techniken, die darauf abzielen, SiC-Einkristalle mit hoher Qualität und Effizienz bereitzustellen: Flüssigphasenepitaxie (LPE), physikalischer Dampftransport (PVT) und chemische Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD). PVT ist ein etabliertes Verfahren zur Herstellung von SiC-Sin...
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