Nachricht

Siliziumkarbidkeramik: der Terminator für photovoltaische Quarzkomponenten
vom Administrator am 24.11.05
Mit der kontinuierlichen Entwicklung der heutigen Welt werden nicht erneuerbare Energien zunehmend erschöpft, und die menschliche Gesellschaft ist immer dringender auf die Nutzung erneuerbarer Energien angewiesen, die durch „Wind, Licht, Wasser und Kernenergie“ repräsentiert werden. Im Vergleich zu anderen erneuerbaren Energiequellen ist der Mensch...
Mehr lesen
Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbidkeramik durch Reaktionssintern und druckloses Sintern
vom Administrator am 24.10.29
Reaktionssintern Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Keramik durch Reaktionssintern umfasst das Verdichten von Keramik, das Verdichten von Sinterflussmittel-Infiltrationsmitteln, die Vorbereitung von Reaktionssinter-Keramikprodukten, die Herstellung von Siliziumkarbid-Holzkeramik und andere Schritte. Reaktionssintern von Silizium ...
Mehr lesen
Siliziumkarbidkeramik: Präzisionskomponenten für Halbleiterprozesse
vom Administrator am 24.10.29
Die Fotolithographietechnologie konzentriert sich hauptsächlich auf die Verwendung optischer Systeme zur Freilegung von Schaltkreismustern auf Siliziumwafern. Die Genauigkeit dieses Prozesses wirkt sich direkt auf die Leistung und Ausbeute integrierter Schaltkreise aus. Als eines der Top-Equipment für die Chipherstellung enthält die Lithographiemaschine bis zu...
Mehr lesen
Verständnis der Kontamination und des Reinigungsverfahrens für Halbleiterwafer
vom Administrator am 24.10.29
Wenn es um Wirtschaftsnachrichten geht, ist es notwendig, die Komplexität der Halbleiterfertigung zu verstehen. Halbleiterwafer sind in dieser Branche eine entscheidende Komponente, sie sind jedoch häufig einer Kontamination durch verschiedene Verunreinigungen ausgesetzt. Zu diesen Schadstoffen gehören Atome, organische Stoffe, metallische Elementionen usw.
Mehr lesen
Förderung in Fan-Out-Wafer-Grad-Verpackungen durch UV-Härtung
vom Administrator am 24.10.28
Fan-Out-Wafer-Grade-Packaging (FOWLP) ist in der Halbleiterindustrie bekanntermaßen kosteneffizient, aber es ist nicht ohne Herausforderung. Eines der Hauptprobleme ist die Verformung und der Beginn des Bits während des Formvorgangs. Verzug kann auf chemisches Schrumpfen der Formmasse zurückzuführen sein ...
Mehr lesen
Die Zukunft der Diamanthalbleitertechnologie
vom Administrator am 24.10.25
Als Basis moderner elektronischer Geräte unterliegen Halbleitermaterialien einem beispiellosen Wandel. Heutzutage entfaltet Diamant mit seinen hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften und seiner Stabilität unter extremen Bedingungen nach und nach sein großes Potenzial als Halbleitermaterial der vierten Generation. Es ist...
Mehr lesen
Verständnis der Chemical Vapour Deposition (CVD)-Technologie
vom Administrator am 24.10.24
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um ein Verfahren, bei dem durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches ein fester Film auf der Oberfläche eines Siliziumwafers angebracht wird. Dieses Verfahren kann in verschiedene Gerätemodelle unterteilt werden, die auf verschiedenen chemischen Reaktionsbedingungen wie Druck basieren.
Mehr lesen
Nachfrage und Anwendung von SiC-Keramiken mit hoher Wärmeleitfähigkeit im Halbleiterbereich
vom Administrator am 24.10.24
Derzeit ist Siliziumkarbid (SiC) ein wärmeleitendes Keramikmaterial, das im In- und Ausland aktiv untersucht wird. Die theoretische Wärmeleitfähigkeit von SiC ist sehr hoch und einige Kristallformen können 270 W/mK erreichen, was unter den nichtleitenden Materialien bereits führend ist. Zum Beispiel die a...
Mehr lesen
Forschungsstand rekristallisierter Siliziumkarbidkeramiken
vom Administrator am 24.10.24
Rekristallisierte Siliziumkarbidkeramik (RSiC) ist ein Hochleistungskeramikmaterial. Aufgrund seiner hervorragenden Hochtemperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hohen Härte wird es in vielen Bereichen eingesetzt, beispielsweise in der Halbleiterfertigung, in der Photovoltaikindustrie ...
Mehr lesen