Nachricht

Herstellung und Leistungsverbesserung von porösen Silizium-Kohlenstoff-Verbundmaterialien
vom Administrator am 24.11.13
Lithium-Ionen-Batterien entwickeln sich vor allem in Richtung hoher Energiedichte. Bei Raumtemperatur legieren siliziumbasierte negative Elektrodenmaterialien mit Lithium, um ein lithiumreiches Produkt der Li3,75Si-Phase mit einer spezifischen Kapazität von bis zu 3572 mAh/g zu erzeugen, was viel höher ist als die theoretische ...
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Thermische Oxidation von einkristallinem Silizium
vom Administrator am 24.11.13
Die Bildung von Siliziumdioxid auf der Siliziumoberfläche wird als Oxidation bezeichnet, und die Bildung von stabilem und stark haftendem Siliziumdioxid führte zur Geburt der planaren Silizium-IC-Technologie. Obwohl es viele Möglichkeiten gibt, Siliziumdioxid direkt auf der Oberfläche von Silizium wachsen zu lassen ...
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UV-Verarbeitung für Fan-Out-Wafer-Level-Verpackung
vom Administrator am 24.11.05
Fan Out Wafer Level Packaging (FOWLP) ist eine kostengünstige Methode in der Halbleiterindustrie. Die typischen Nebenwirkungen dieses Prozesses sind jedoch Verzug und Spanversatz. Trotz der kontinuierlichen Verbesserung der Fan-Out-Technologie auf Wafer- und Panel-Ebene bestehen diese Probleme im Zusammenhang mit dem Formen immer noch ...
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Siliziumkarbidkeramik: der Terminator für photovoltaische Quarzkomponenten
vom Administrator am 24.11.05
Mit der kontinuierlichen Entwicklung der heutigen Welt werden nicht erneuerbare Energien zunehmend erschöpft, und die menschliche Gesellschaft ist immer dringender auf die Nutzung erneuerbarer Energien angewiesen, die durch „Wind, Licht, Wasser und Kernenergie“ repräsentiert werden. Im Vergleich zu anderen erneuerbaren Energiequellen ist der Mensch...
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Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbidkeramik durch Reaktionssintern und druckloses Sintern
vom Administrator am 24.10.29
Reaktionssintern Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Keramik durch Reaktionssintern umfasst das Verdichten von Keramik, das Verdichten von Sinterflussmittel-Infiltrationsmitteln, die Vorbereitung von Reaktionssinter-Keramikprodukten, die Herstellung von Siliziumkarbid-Holzkeramik und andere Schritte. Reaktionssintern von Siliziumautos...
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Siliziumkarbidkeramik: Präzisionskomponenten für Halbleiterprozesse
vom Administrator am 24.10.29
Die Fotolithographietechnologie konzentriert sich hauptsächlich auf die Verwendung optischer Systeme zur Freilegung von Schaltkreismustern auf Siliziumwafern. Die Genauigkeit dieses Prozesses wirkt sich direkt auf die Leistung und Ausbeute integrierter Schaltkreise aus. Als eines der Spitzengeräte für die Chipherstellung enthält die Lithographiemaschine bis zu...
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Nachfrage und Anwendung von SiC-Keramiken mit hoher Wärmeleitfähigkeit im Halbleiterbereich
vom Administrator am 24.10.24
Derzeit ist Siliziumkarbid (SiC) ein wärmeleitendes Keramikmaterial, das im In- und Ausland aktiv untersucht wird. Die theoretische Wärmeleitfähigkeit von SiC ist sehr hoch und einige Kristallformen können 270 W/mK erreichen, was unter den nichtleitenden Materialien bereits führend ist. Zum Beispiel die a...
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Forschungsstand rekristallisierter Siliziumkarbidkeramiken
vom Administrator am 24.10.24
Rekristallisierte Siliziumkarbidkeramik (RSiC) ist ein Hochleistungskeramikmaterial. Aufgrund seiner hervorragenden Hochtemperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hohen Härte wird es in vielen Bereichen eingesetzt, beispielsweise in der Halbleiterfertigung, in der Photovoltaikindustrie ...
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Was ist eine Sic-Beschichtung? – VET ENERGIE
vom Administrator am 24.10.18
Siliziumkarbid ist eine harte Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff und kommt in der Natur als äußerst seltenes Mineral Moissanit vor. Siliziumkarbidpartikel können durch Sintern miteinander verbunden werden, um sehr harte Keramiken zu bilden, die häufig in Anwendungen eingesetzt werden, die eine hohe Haltbarkeit erfordern, insbesondere ...
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