MOCVD-Suszeptor Kaufen Sie online in China Sic-Graphit-Epitaxie-Suszeptoren

Kurzbeschreibung:

 


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Boot 3004
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter / Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5 ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

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    Produktbeschreibung

    Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegenüber organischen Reagenzien und stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus.

    Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum Umweltverschmutzungen an peripheren Geräten und Vakuumkammern zur Folge hat und die Verunreinigungen in der hochreinen Umgebung erhöht.

    Allerdings behält die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad. Sie findet breite Anwendung in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie.

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht. Die gebildete SiC-Schicht ist fest mit dem Graphitsubstrat verbunden und verleiht diesem besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig sowie korrosions- und oxidationsbeständig.

    Anwendung:

    2

    Hauptmerkmale:

    1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

    Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1700 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

    Hauptspezifikationen von CVD-SiC-Beschichtungen:

    SiC-CVD

    Dichte

    (g/cc)

    3.21

    Biegefestigkeit

    (Mpa)

    470

    Wärmeausdehnung

    (10-6/K)

    4

    Wärmeleitfähigkeit

    (W/mK)

    300

    Lieferfähigkeit:

    10000 Stück pro Monat
    Verpackung & Lieferung:
    Verpackung: Standard- und stabile Verpackung
    Polybeutel + Karton + Umkarton + Palette
    Hafen:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Lieferzeit:

    Menge (Stück) 1 – 1000 >1000
    Geschätzte Zeit (Tage) 15 Wird verhandelt


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