Niedrigster Preis für hochwertige, kundenspezifische Graphitheizungen aus China für polykristalline Silizium-Ingot-Öfen

Wir arbeiten kontinuierlich an der Verbesserung und Optimierung unserer Lösungen und Dienstleistungen. Gleichzeitig forschen und entwickeln wir aktiv an der Entwicklung hochwertiger, kundenspezifischer Graphitheizungen für polykristalline Silizium-Ingot-Öfen aus China zum niedrigsten Preis. Unser Unternehmen ist dank seines unbedingten Engagements für höchste Fertigungsqualität, attraktive Preise und exzellenten Kundenservice schnell gewachsen und hat sich einen hervorragenden Ruf erworben.
Wir arbeiten kontinuierlich daran, unsere Lösungen und Dienstleistungen zu erweitern und zu perfektionieren. Gleichzeitig betreiben wir aktiv Forschung und Weiterentwicklung fürChinesischer Graphit-Heizofen, Graphit-WärmefeldNur um qualitativ hochwertige Produkte zu liefern, die den Kundenanforderungen entsprechen, werden alle unsere Produkte und Lösungen vor dem Versand strengstens geprüft. Wir denken stets aus Kundensicht, denn Ihr Erfolg ist auch unser Erfolg!

Hochwertiger MOCVD-Susceptor (Modelljahr 2022) – jetzt online in China kaufen

Ein Wafer ist eine etwa 1 Millimeter dicke Siliziumscheibe mit einer extrem ebenen Oberfläche, die durch technisch anspruchsvolle Verfahren hergestellt wird. Die weitere Verwendung bestimmt das anzuwendende Kristallzüchtungsverfahren. Beim Czochralski-Verfahren beispielsweise wird polykristallines Silizium geschmolzen und ein stiftdünner Impfkristall in die Schmelze eingetaucht. Der Impfkristall wird anschließend gedreht und langsam nach oben gezogen. So entsteht ein sehr schwerer Koloss, ein Einkristall. Dessen elektrische Eigenschaften lassen sich durch die Zugabe geringer Mengen hochreiner Dotierstoffe gezielt einstellen. Die Kristalle werden gemäß den Kundenspezifikationen dotiert, poliert und anschließend in Scheiben geschnitten. Nach verschiedenen weiteren Produktionsschritten erhält der Kunde die spezifizierten Wafer in einer speziellen Verpackung, die den sofortigen Einsatz in seiner Produktionslinie ermöglicht.

Bevor ein Wafer in elektronischen Bauelementen eingesetzt werden kann, muss er mehrere Schritte durchlaufen. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitsuszeptoren aufgebracht werden. Die Eigenschaften und die Qualität der Suszeptoren haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Für Dünnschichtabscheidungsverfahren wie Epitaxie oder MOCVD liefert VET hochreine Graphitanlagen, die zur Aufnahme von Substraten oder „Wafern“ dienen. Im Zentrum des Prozesses stehen diese Anlagen, Epitaxie-Suszeptoren oder Satellitenplattformen für die MOCVD, die zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt werden:

Hohe Temperatur.
Hochvakuum.
Verwendung aggressiver gasförmiger Vorläuferstoffe.
Keine Kontamination, kein Abschälen.
Beständigkeit gegenüber starken Säuren bei Reinigungsvorgängen