Niedrigster Preis für China Hochwertige maßgeschneiderte Graphitheizung für polykristalline Siliziumbarrenöfen

Wir entwickeln und perfektionieren unsere Lösungen und Dienstleistungen kontinuierlich. Gleichzeitig betreiben wir aktiv Forschung und Weiterentwicklung für den niedrigsten Preis für hochwertige kundenspezifische Graphitheizungen für polykristalline Silizium-Ingotöfen in China. Unser Unternehmen wuchs schnell an Größe und Popularität aufgrund seines absoluten Engagements für die Herstellung von Spitzenqualität und hohen Preisen Produkte und fantastischer Kundenanbieter.
Wir entwickeln und perfektionieren unsere Lösungen und Dienstleistungen kontinuierlich. Gleichzeitig betreiben wir aktiv Forschung und WeiterentwicklungChina-Graphitheizofen, Graphit-ThermalfeldAlle unsere Produkte und Lösungen wurden vor dem Versand streng geprüft, um sicherzustellen, dass die Qualität des Produkts den Anforderungen des Kunden gerecht wird. Wir denken immer an die Frage auf der Seite der Kunden, denn Sie gewinnen, wir gewinnen!

2022 hochwertiger MOCVD-Suszeptor online in China kaufen

Ein Wafer ist eine etwa 1 Millimeter dicke Siliziumscheibe, die durch technisch sehr anspruchsvolle Verfahren eine extrem ebene Oberfläche aufweist. Die spätere Verwendung bestimmt, welches Kristallzüchtungsverfahren angewendet werden sollte. Beim Czochralski-Verfahren wird beispielsweise das polykristalline Silizium geschmolzen und ein bleistiftdünner Impfkristall in das geschmolzene Silizium getaucht. Anschließend wird der Impfkristall gedreht und langsam nach oben gezogen. Es entsteht ein sehr schwerer Koloss, ein Einkristall. Durch die Zugabe kleiner Einheiten hochreiner Dotierstoffe ist es möglich, die elektrischen Eigenschaften des Einkristalls zu wählen. Die Kristalle werden nach Kundenvorgabe dotiert, anschließend poliert und in Scheiben geschnitten. Nach verschiedenen weiteren Produktionsschritten erhält der Kunde seine spezifizierten Wafer in einer speziellen Verpackung, die es dem Kunden ermöglicht, den Wafer sofort in seiner Produktionslinie zu verwenden.

Ein Wafer muss mehrere Schritte durchlaufen, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphit-Suszeptoren getragen werden. Die Eigenschaften und Qualität der Suszeptoren haben entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD liefert VET Geräte aus hochreinem Graphit, die zur Unterstützung von Substraten oder „Wafern“ verwendet werden. Im Kern des Prozesses werden diese Geräte, Epitaxie-Suszeptoren oder Satellitenplattformen für das MOCVD, zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt:

Hohe Temperatur.
Hochvakuum.
Verwendung aggressiver gasförmiger Vorläufer.
Keine Kontamination, kein Abblättern.
Beständigkeit gegen starke Säuren bei Reinigungsarbeiten