IC-Einkristall-Siliziumepitaxie

Kurzbeschreibung:

Herkunftsort:China

Kristallstruktur:FCCβ-Phase

Dichte :3,21 g/cm;

Härte:2500 Vickers;

Korngröße:2~10μm;

Chemische Reinheit:99,99995 %;

Wärmekapazität:640J·kg-1·K-1;

Sublimationstemperatur:2700℃;

Biegekraft:415 MPa (RT 4-Punkt);

Elastizitätsmodul:430 Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃);

Wärmeausdehnung (CTE):4,5 10-6K-1;

Wärmeleitfähigkeit:300 (W/MK);

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Produktdetails

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Produktbeschreibung

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht.

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99,99995
Wärmekapazität	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300