Guter Benutzerruf für künstliches Graphitpulver zum Großhandelspreis

Kurzbeschreibung:

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre. CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Modellnummer:
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    Unser Unternehmen zielt darauf ab, treu zu arbeiten, allen unseren Käufern zu dienen und kontinuierlich an neuen Technologien und neuen Maschinen zu arbeiten, um einen guten Ruf bei den Benutzern für künstliches Graphitpulver im Großhandelspreis zu erzielen. Willkommen bei der Entwicklung effektiver und umfassender bestehender Geschäftsbeziehungen mit unserem Unternehmen, um eine zu produzieren glorreich auf lange Sicht gemeinsam. Die Zufriedenheit unserer Kunden ist unser ewiges Streben!
    Unser Unternehmen zielt darauf ab, treu zu arbeiten, alle unsere Käufer zu bedienen und kontinuierlich an neuen Technologien und neuen Maschinen zu arbeitenChina Künstliches Graphitpulver und Graphitpulver 5 MikronWir können unseren Kunden absolute Vorteile in Bezug auf Produktqualität und Kostenkontrolle bieten und verfügen jetzt über die gesamte Palette an Formen von bis zu hundert Fabriken. Durch die schnelle Produktaktualisierung gelingt es uns, viele qualitativ hochwertige Produkte für unsere Kunden zu entwickeln und einen hohen Ruf zu erlangen.

    Produktbeschreibung

    Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

    Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
    CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

    SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor

    Merkmale:
    · Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
    · Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
    · Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
    · Superhohe Reinheit
    · Verfügbarkeit in komplexer Form
    · Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

    Anwendung:

    2

     

    Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

    Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm3
    Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
    Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Shore-Härte: 58
    Asche: <5ppm
    Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

    Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für Anwendungs- und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Einzelwafer-Suszeptoren für Anwendungs- und ASM-Einheiten. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialkompetenz und Fertigungs-Know-how bietet SGL bietet das optimale Design für Ihre Anwendung.

     

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