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Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien sowie stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

Anwendung:

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1700 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

Lieferfähigkeit:

10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Karton + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit: