Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxie

Kurzbeschreibung:

Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrat-ASP-Typs (ET0.032.512TU), für die. Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

Senden Sie uns eine E-Mail Als PDF herunterladen

Produktdetails

Produkt-Tags

Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrat-ASP-Typs (ET0.032.512TU), für die. Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

Grundlegender technischer Parameter
zu Galliumarsenid-Phosphid-Strukturen

1,SubstratGaAs
A. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
B. Spezifischer Widerstand, Ohm-cm	0,008
C. Kristallgitterorientierung	(100)
D. Fehlausrichtung der Oberfläche	(1−3)°

2. Epitaxieschicht GaAs1-х Pх
A. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
B. Phosphorgehalt in der Übergangsschicht	von х = 0 bis х ≈ 0,4
C. Phosphorgehalt in einer Schicht konstanter Zusammensetzung	х ≈ 0,4
D. Trägerkonzentration, сm3	(0,2−3,0)·1017
e. Wellenlänge im Maximum des Photolumineszenzspektrums, nm	645–673 nm
F. Wellenlänge im Maximum des Elektrolumineszenzspektrums	650–675 nm
G. Konstante Schichtdicke, Mikrometer	Mindestens 8 sm
H. Schichtdicke (gesamt), Mikron	Mindestens 30 nm

3 Platte mit Epitaxieschicht
A. Durchbiegung, Mikron	Höchstens 100 um
B. Dicke, Mikrometer	360–600 um
C. Quadratzentimeter	Mindestens 6 cm2
D. Spezifische Lichtstärke (nach DiffusionZn), cd/amp	Mindestens 0,05 cd/Ampere