Графітовий чутливий елемент із покриттям SiC для глибокого ультрафіолетового світла є ключовим компонентом, який використовується в різних процесах виробництва напівпровідників. Ми використовуємо нашу запатентовану технологію, щоб зробити носій з карбіду кремнію з надзвичайно високою чистотою, хорошою рівномірністю покриття та чудовим терміном служби, а також з високою хімічною стійкістю та термостабільністю.
Особливості нашої продукції:
1. Стійкість до високотемпературного окислення до 1700 ℃.
2. Висока чистота та теплова однорідність
3. Чудова стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
4. Висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
5. Довший термін служби та міцніший
| ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основні фізичні властивості CVD SiCпокриття | |
| 性质 / Власність | 典型数值 / Типове значення |
| 晶体结构 / Кристалічна структура | FCC β фаза多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Щільність | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Твердість | 2500 维氏硬度 (завантаження 500 г) |
| 晶粒大小 / Розмір зерна | 2~10 мкм |
| 纯度 / Хімічна чистота | 99,99995% |
| 热容 / Теплоємність | 640 Дж·кг-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура сублімації | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Міцність на вигин | 415 МПа RT 4-точковий |
| 杨氏模量 / Модуль Юнга | 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Термалпровідність | 300 Вт·м-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Теплове розширення (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy є справжнім виробником індивідуальних продуктів із графіту та карбіду кремнію з різними покриттями, такими як покриття SiC, покриття TaC, покриття зі склоуглероду, піролітичне вуглецеве покриття тощо, може постачати різні індивідуальні деталі для напівпровідникової та фотоелектричної промисловості.
Наша технічна команда походить від провідних вітчизняних науково-дослідних установ, може надати вам більш професійні матеріальні рішення.
Ми постійно вдосконалюємо передові процеси, щоб отримати більш досконалі матеріали, і розробили ексклюзивну запатентовану технологію, яка може зробити зв’язок між покриттям і основою більш міцним і менш схильним до від’єднання.
Щиро вітаємо вас відвідати нашу фабрику, давайте обговоримо далі!
