SiC покриття/графітова підкладка з покриттям/лоток для напівпровідників

Покриття SiC/графітова підкладка з покриттям/лоток для напівпровідників Представлене зображення

Короткий опис:

VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor for Epitaxial Growth — це високоефективний продукт, розроблений для стабільної та надійної роботи протягом тривалого періоду часу. Він має надвисоку термостійкість і термічну однорідність, високу чистоту, стійкість до ерозії, що робить його ідеальним рішенням для обробки пластин.

Надішліть нам електронний лист Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Покриття SiC/покриття графіту для напівпровідників

TheГрафітова підкладка з покриттям SiCце високоміцне та ефективне рішення, призначене для задоволення суворих вимог промисловості обробки напівпровідників. Завдяки шару високої чистотипокриття з карбіду кремнію (SiC)., ця підкладка забезпечує виняткову термічну стабільність, стійкість до окислення та тривалий термін служби, що робить її ідеальною для застосування в процесах MOCVD, носіях графітових пластин та інших високотемпературних середовищах.

особливості:
· Чудова стійкість до термічного удару
· Відмінна фізична стійкість до ударів
· Відмінна хімічна стійкість
· Надвисока чистота
· Наявність у складній формі
· Можна використовувати в окислювальній атмосфері

застосування:

Особливості та переваги продукту:

1. Чудовий термічний опір:З високою чистотоюSiC покриття, підкладка витримує екстремальні температури, забезпечуючи стабільну продуктивність у складних умовах, таких як епітаксія та виготовлення напівпровідників.

2. Підвищена довговічність:Графітові компоненти з покриттям SiC створені для опору хімічній корозії та окисленню, що збільшує термін служби підкладки порівняно зі стандартними графітовими підкладками.

3. Графіт зі склоподібним покриттям:Унікальна склоподібна структураSiC покриттязабезпечує відмінну твердість поверхні, зводячи до мінімуму знос під час високотемпературної обробки.

4. Високочисте покриття SiC:Наша підкладка забезпечує мінімальне забруднення в чутливих напівпровідникових процесах, пропонуючи надійність для галузей промисловості, де потрібна сувора чистота матеріалів.

5. Широке застосування ринку:TheГрафітовий токоприймач із покриттям SiCринок продовжує зростати, оскільки зростає попит на вдосконалені продукти з покриттям SiC у виробництві напівпровідників, позиціонуючи цю підкладку як ключового гравця як на ринку носіїв для графітових пластин, так і на ринку графітових лотків з покриттям з карбіду кремнію.

Типові властивості базового графітового матеріалу:

Видима щільність:	1,85 г/см3
Електричний опір:	11 мкОм
Міцність на вигин:	49 МПа (500 кгс/см2)
Твердість по Шору:	58
попіл:	<5 ppm
Теплопровідність:	116 Вт/мК (100 ккал/мг-℃)

ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основні фізичні властивості CVD SiCпокриття
性质 / Власність	典型数值 / Типове значення
晶体结构 / Кристалічна структура	FCC β фаза 多晶，主要为（111）取向
密度 / Щільність	3,21 г/см³
硬度 / Твердість	2500 维氏硬度 (завантаження 500 г)
晶粒大小 / Розмір зерна	2~10 мкм
纯度 / Хімічна чистота	99,99995%
热容 / Теплоємність	640 Дж·кг^-1·К^-1
升华温度 / Температура сублімації	2700 ℃
抗弯强度 / Міцність на згин	415 МПа RT 4-точковий
杨氏模量 / Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
导热系数 / Теплопровідність	300 Вт·м^-1·К^-1
热膨胀系数 / Теплове розширення (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy є справжнім виробником індивідуальних продуктів із графіту та карбіду кремнію з різними покриттями, такими як покриття SiC, покриття TaC, покриття зі склоуглероду, піролітичне вуглецеве покриття тощо, може постачати різні індивідуальні деталі для напівпровідникової та фотоелектричної промисловості.

Наша технічна команда походить від провідних вітчизняних науково-дослідних установ, може надати вам більш професійні матеріальні рішення.

Ми постійно вдосконалюємо передові процеси, щоб отримати більш досконалі матеріали, і розробили ексклюзивну запатентовану технологію, яка може зробити зв’язок між покриттям і основою більш міцним і менш схильним до від’єднання.

Щиро вітаємо вас відвідати нашу фабрику, давайте обговоримо далі!