Графітові підкладки/носії з покриттям з карбіду кремнію для напівпровідників

Короткий опис:

VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor — це високоефективний продукт, розроблений для стабільної та надійної роботи протягом тривалого періоду часу. Він має надвисоку термостійкість і термічну однорідність, високу чистоту, стійкість до ерозії, що робить його ідеальним рішенням для обробки пластин.

Місце походження:Чжецзян, Китай (материк)

Номер моделі:Човен3004

Хімічний склад:Графіт з покриттям SiC

Міцність на вигин:470 МПа

Теплопровідність:300 Вт/мК

якість:ідеально

функція:CVD-SiC

застосування:Напівпровідник/фотоелектричний

Щільність:3,21 г/куб.куб

Теплове розширення:4 10-6/К

попіл: <5 ppm

Зразок:Доступний

Код HS:6903100000

Надішліть нам електронний лист Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Графітовий токоприймач із покриттям SiC є ключовим компонентом, який використовується в різних процесах виробництва напівпровідників. ми використовуємо нашу запатентовану технологію, щоб створити чутливий елемент із надзвичайно високою чистотою, хорошою рівномірністю покриття та чудовим терміном служби, а також з високою хімічною стійкістю та термостабільністю.

Особливості нашої продукції:

1. Стійкість до високотемпературного окислення до 1700 ℃.
2. Висока чистота та теплова однорідність
3. Чудова стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
4. Висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
5. Довший термін служби та міцніший

ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основні фізичні властивості CVD SiCпокриття
性质 / Власність	典型数值 / Типове значення
晶体结构 / Кристалічна структура	FCC β фаза多晶，主要为（111）取向
密度 / Щільність	3,21 г/см³
硬度 / Твердість	2500 维氏硬度 (завантаження 500 г)
晶粒大小 / Розмір зерна	2~10 мкм
纯度 / Хімічна чистота	99,99995%
热容 / Теплоємність	640 Дж·кг^-1·К^-1
升华温度 / Температура сублімації	2700 ℃
抗弯强度 / Міцність на вигин	415 МПа RT 4-точковий
杨氏模量 / Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
导热系数 / Термалпровідність	300 Вт·м^-1·К^-1
热膨胀系数 / Теплове розширення (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy є справжнім виробником індивідуальних продуктів із графіту та карбіду кремнію з різними покриттями, такими як покриття SiC, покриття TaC, покриття зі склоуглероду, піролітичне вуглецеве покриття тощо, може постачати різні індивідуальні деталі для напівпровідникової та фотоелектричної промисловості.

Наша технічна команда походить від провідних вітчизняних науково-дослідних установ, може надати вам більш професійні матеріальні рішення.

Ми постійно вдосконалюємо передові процеси, щоб отримати більш досконалі матеріали, і розробили ексклюзивну запатентовану технологію, яка може зробити зв’язок між покриттям і основою більш міцним і менш схильним до від’єднання.

Щиро вітаємо вас відвідати нашу фабрику, давайте обговоримо далі!