4-дюймова пластина GaAs від VET Energy є необхідним матеріалом для високошвидкісних та оптоелектронних пристроїв, включаючи радіочастотні підсилювачі, світлодіоди та сонячні елементи. Ці пластини відомі своєю високою рухливістю електронів і здатністю працювати на високих частотах, що робить їх ключовим компонентом у передових напівпровідникових додатках. VET Energy забезпечує високоякісні пластини GaAs з однаковою товщиною та мінімальними дефектами, які підходять для низки складних процесів виготовлення.
Ці 4-дюймові пластини GaAs сумісні з різними напівпровідниковими матеріалами, такими як Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer і SiN Substrate, що робить їх універсальними для інтеграції в різні архітектури пристроїв. Незалежно від того, чи використовуються вони для виробництва Epi Wafer або разом із передовими матеріалами, такими як оксид галію Ga2O3 і AlN Wafer, вони є надійною основою для електроніки нового покоління. Крім того, пластини повністю сумісні з системами обробки на основі касет, забезпечуючи безперебійну роботу як у дослідницьких, так і в серійних виробничих середовищах.
VET Energy пропонує повний асортимент напівпровідникових підкладок, включаючи Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 та AlN Wafer. Наша різноманітна лінійка продуктів задовольняє потреби різних електронних застосувань, від силової електроніки до радіочастотної та оптоелектронної техніки.
VET Energy пропонує настроювані пластини GaAs відповідно до ваших конкретних вимог, включаючи різні рівні легування, орієнтацію та обробку поверхні. Наша команда експертів надає технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб забезпечити ваш успіх.
ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАФЕЛЬ
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук (GF3YFCD) - абсолютне значення | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформація (GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
LTV(SBIR)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Вафельний край | Скошування |
ОБРОБКА ПОВЕРХНІ
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Оздоблення поверхні | Двостороння оптична полірування, Si-Face CMP | ||||
Шорсткість поверхні | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайові чіпи | Не допускається (довжина та ширина≥0,5 мм) | ||||
Відступи | Не дозволено | ||||
Подряпини (Si-Face) | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | ||
Тріщини | Не дозволено | ||||
Виключення краю | 3 мм |