-
4 миллиард! SK Hynix ярымүткәргечнең Purdue тикшеренү паркында алдынгы упаковка инвестицияләрен игълан итә
Көнбатыш Лафайетта, Индиана - SK hynix Inc. Purdue тикшеренүләр паркында ясалма интеллект продуктлары өчен алдынгы упаковка җитештерү һәм R&D корылмасы төзү өчен якынча 4 миллиард доллар инвестицияләр салу планы турында игълан итте. Көнбатыш Лафайетта АКШ ярымүткәргеч тәэмин итү чылбырында төп сылтама булдыру ...Күбрәк укыгыз -
Лазер технологиясе кремний карбид субстрат эшкәртү технологиясен үзгәртүгә китерә
1. Кремний карбид субстрат эшкәртү технологиясенә күзәтү Хәзерге кремний карбид субстрат эшкәртү адымнары үз эченә ала: тышкы түгәрәкне тарту, кисү, кыскарту, тарту, бизәү, чистарту һ.б. Кисү ярымүткәргеч субстратта мөһим адым ...Күбрәк укыгыз -
Төп җылылык кыры материаллары: C / C составлы материаллар
Углерод-углерод композитлары - углерод җепселләре композитларының бер төре, углерод җепселләре ныгыту материалы һәм углерод матрица материалы буларак урнаштырылган. C / C композитларының матрицасы углерод. Ул тулысынча диярлек элементлы углеродтан торганлыктан, бик яхшы температурага каршы торучы ...Күбрәк укыгыз -
SiC кристалл үсеше өчен өч төп техника
3 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, SiC бер кристаллны югары сыйфатлы һәм эффективлык белән тәэмин итүгә юнәлтелгән өч доминант техника бар: сыек фаз эпитакси (LPE), физик пар транспорты (PVT), һәм югары температуралы химик пар парламенты (HTCVD). PVT - SiC гөнаһ җитештерү өчен яхшы урнаштырылган процесс ...Күбрәк укыгыз -
Өченче буын ярымүткәргеч GaN һәм эпитаксиаль технология белән кыскача таныштыру
1. Өченче буын ярымүткәргечләр Беренче буын ярымүткәргеч технологиясе Si һәм Ge кебек ярымүткәргеч материаллар нигезендә эшләнде. Бу транзисторлар һәм интеграль челтәр технологияләрен үстерү өчен матди нигез. Беренче буын ярымүткәргеч материаллар ...Күбрәк укыгыз -
23,5 миллиард, Сучжоу супер уникоры IPOга бара
9 ел эшкуарлыктан соң, Innoscience гомуми финанслауда 6 миллиард юаньдан артык акча җыйды, һәм аны бәяләү 23,5 миллиард юаньга җитте. Инвесторлар исемлеге дистәләгән компания кебек озын: Fukun Venture Capital, Донгфанг дәүләт милке, Сучжоу Жани, Вуцзян ...Күбрәк укыгыз -
Тантал карбид белән капланган продуктлар материалларның коррозиягә каршы торышын ничек көчәйтәләр?
Тантал карбид каплавы - гадәттә кулланыла торган өслекне эшкәртү технологиясе, ул материалларның коррозиягә каршы торышын сизелерлек яхшырта ала. Танталь карбид капламы субстрат өслегенә химик пар парламенты, физика кебек төрле әзерләү ысуллары ярдәмендә бәйләнергә мөмкин.Күбрәк укыгыз -
Өченче буын ярымүткәргеч GaN һәм аңа бәйле эпитаксиаль технология белән таныштыру
1. Өченче буын ярымүткәргечләр Беренче буын ярымүткәргеч технологиясе Si һәм Ge кебек ярымүткәргеч материаллар нигезендә эшләнде. Бу транзисторлар һәм интеграль челтәр технологияләрен үстерү өчен матди нигез. Беренче буын ярымүткәргеч материаллар f ...Күбрәк укыгыз -
Кремний карбид кристалл үсешенә күзәнәк графитның тәэсире турында санлы симуляция өйрәнүе
SiC кристалл үсешенең төп процессы сублимациягә һәм чималның югары температурада черүенә, температура градиенты тәэсирендә газ фазасы матдәләрен ташуга, орлык кристаллындагы газ фазасы матдәләренең рестрализациясенә бүленә. Шуңа нигезләнеп, ...Күбрәк укыгыз