Арткы процесс процессындавафер (кремний вафиналгы схемалар белән) пакетның монтаж биеклеген киметү, чип пакеты күләмен киметү, чипның җылылык диффузия эффективлыгын яхшырту, электр җитештерүчәнлеге, механик үзлекләрен киметү һәм соңрак бәяләү, эретеп ябыштыру һәм пакетлау алдыннан арткы нечкә булырга тиеш. бәяләү. Арткы тарту югары эффективлык һәм аз бәянең өстенлекләренә ия. Ул традицион дым эфирлау һәм ион эшкәртү процессларын алыштырды, иң мөһим арка нечкә технологиясенә әверелде.
Нечкә вафин
Ничек нечкә?
Традицион төрү процессында ваферның төп процессы
Конкрет адымнарвафернечкәлек эшкәртү пленкасына эшкәртелергә тиеш, аннары вакуум кулланып, нечкә пленканы һәм андагы чипны керамик керфек өстәленә урнаштырырга, эш өслегенең эчке һәм тышкы түгәрәк көймә үзәк сызыкларын көйләргә. кремний вафат үзәгенә чынаяк формасындагы бриллиант тарту тәгәрмәче, һәм кремний вафины һәм тарту тәгәрмәче кисү өчен тиешле балталары тирәсендә әйләнәләр. Тегермән өч этапны үз эченә ала: тупас тарту, нечкә тарту һәм бизәү.
Вафин фабрикасыннан чыккан ваферны упаковка өчен кирәк булган калынлыкка кадәр нечкә итеп тарталар. Вафинны тартканда, лентаны схема өлкәсен саклау өчен алгы (Актив мәйдан) кулланырга кирәк, һәм арткы ягы бер үк вакытта җир. Тегермәннән соң, тасманы алып, калынлыгын үлчәгез.
Кремний вафин әзерләүдә уңышлы кулланылган тарту процессларына әйләнүче өстәл тарту керә,кремний вафинәйләнү тарту, ике яклы тарту һ.б. Бер кристалл кремний вафиның өслек сыйфаты таләпләрен тагын да яхшырту белән, яңа тарту технологияләре гел тәкъдим ителә, мәсәлән, TAIKO тарту, химик механик тарту, полировкалау һәм планета диск тарту.
Өстәл әйләндерү:
Әйләндергеч өстәл тарту (әйләндергеч өстәл тарту) - кремний вафин әзерләүдә һәм арткы нечкәлектә кулланылган эре тарту процессы. Аның принцибы 1 нче рәсемдә күрсәтелгән. Кремний вафиннары әйләнүче өстәлнең сорау касәләренә куелган, һәм синхрон рәвештә әйләнүче өстәл белән идарә итәләр. Кремний вафиннары үзләре үз күчәрендә әйләнмиләр; тегермән тәгәрмәче югары тизлектә әйләнгәндә охшаш тукландырыла, һәм тарту тәгәрмәченең диаметры кремний вафаты диаметрыннан зуррак. Ике төр әйләндергеч өстәл тарту бар: йөзне суырту һәм йөз тангенсаль тарту. Йөзне суыртуда, тегермән тәгәрмәченең киңлеге кремний вафат диаметрыннан зуррак, һәм тегермән тәгәрмәче шакмак үз эшкәртмәсе буенча өзлексез туклана, артык эшкәртелгәнче, аннары кремний вафаты әйләнү өстәле дискы астында әйләнә; тангеналь тартмада, тарткыч тәгәрмәч үз күчәре буенча туклана, һәм кремний вафаты әйләнүче диск саклагычы астында өзлексез әйләнә, һәм тарту үзара туклану (үзара каршы тору) яки креп ашату белән тәмамлана.
Рәсем 1, әйләнүче өстәл тарту схематик схемасы (йөз тангеналь) принцибы
Тегермән тарту ысулы белән чагыштырганда, әйләндергеч өстәл тарту югары чыгару тизлеге, кечкенә өслеккә зыян, җиңел автоматлаштыру өстенлекләренә ия. Шулай да, тарту процессындагы факттагы тарту өлкәсе (актив тарту) В һәм киселгән почмак θ (тегермән тәгәрмәченең тышкы түгәрәге белән кремний вафиның тышкы түгәрәге арасындагы почмак) кисү позициясе үзгәрү белән үзгәрә. тарту тәгәрмәченең, тотрыксыз тарту көченә китереп, идеаль өслекнең төгәллеген алу кыенлаша, һәм кырның җимерелүе һәм кырның җимерелүе кебек кимчелекләр җиңел. Әйләнүче өстәл тарту технологиясе, нигездә, 200 ммнан түбән кристалл кремний вафаларын эшкәртү өчен кулланыла. Бер кристалл кремний вафиннарының зурлыгы җиһаз эш урынының төгәллегенә һәм хәрәкәт төгәллегенә югары таләпләр куйды, шуңа күрә әйләнү өстәл тарту 300 ммнан артык кристалл кремний вафаларын тарту өчен яраксыз.
Тегермән эффективлыгын күтәрү өчен, коммерция яссылыгы тангеналь тарту җиһазлары, гадәттә, күп тарткыч тәгәрмәч структурасын кабул итәләр. Мәсәлән, җиһазда тупас тарту тәгәрмәчләре һәм нечкә тарткыч тәгәрмәчләр җыелмасы җиһазландырылган, ә әйләндергеч өстәл бер түгәрәкне әйләндерә, тупас тарту һәм үз чиратында яхшы тарту. Бу төр җиһазга Америка GTI компаниясенең G-500DS керә (рәсем 2).
Рәсем 2, АКШ-та GTI компаниясенең G-500DS әйләнүче өстәл тарту җиһазлары
Кремний вафин әйләнеше тарту:
Зур күләмле кремний вафер әзерләү һәм арткы нечкә эшкәртү ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, яхшы TTV кыйммәте белән өслек төгәллеген алу өчен. 1988-нче елда япон галиме Мацуй кремний вафин әйләнешен тарту (тукландыру) ысулын тәкъдим итте. Аның принцибы 3 нче рәсемдә күрсәтелгән. Бер кристалл кремний вафин һәм эш урынында урнаштырылган бриллиант тарткыч тәгәрмәч тәгәрмәчләре үз балталары тирәсендә әйләнәләр, һәм тегермән тәгәрмәче бер үк вакытта охаль юнәлеш буенча тукланалар. Алар арасында, тегермән тәгәрмәченең диаметры эшкәртелгән кремний вафатының диаметрыннан зуррак, һәм аның әйләнәсе кремний вафат үзәгеннән уза. Тегермән тарту көчен киметү һәм тарту җылылыгын киметү өчен, вакуум сорау касәсе гадәттә конвекс яки конкав формага яисә тегермән тәгәрмәче шакмаклары белән сорау касәсенең шакмак күчәре арасындагы ярым контактлы тартуны тәэмин итү өчен көйләнә. тарту тәгәрмәче һәм кремний вафин.
Рәсем 3, Кремний вафинның әйләнү тарту принцибының схематик схемасы
Әйләнүче өстәл тарту белән чагыштырганда, кремний вафин әйләндергеч тарту түбәндәге өстенлекләргә ия: ① Бер тапкыр бер вафиналы тарту зур күләмле кремний вафаларын 300 ммнан артык эшкәртә ала; B В тарту өлкәсе һәм кисү почмагы constant даими, һәм тарту көче чагыштырмача тотрыклы; Ing Тегермән тәгәрмәче күчәре белән кремний вафаты күчәре арасындагы омтылыш почмагын көйләп, бер кристалл кремний вафиның өслек формасы яхшырак өслек формасының төгәллеген алу өчен актив контрольдә тотыла ала. Моннан тыш, тарту өлкәсе һәм кисү почмагы sil кремний вафер әйләнү тартмасы шулай ук зур маржа тарту, җиңел онлайн калынлык һәм өслек сыйфатын ачыклау һәм контрольдә тоту, компакт җиһазлар структурасы, җиңел күп станцияле интеграль тарту, югары тарту эффективлыгы бар.
Productionитештерүнең эффективлыгын күтәрү һәм ярымүткәргеч җитештерү линияләренең ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, кремний вафин әйләнешле тарту принцибы нигезендә коммерция тарту җиһазлары күп магистраль күп станцияле структураны кабул итә, ул бер тарту һәм бушатуда тупас тарттыруны һәм яхшы тарттыруны тәмамлый ала. . Башка ярдәмче корылмалар белән берлектә, ул "коры / коры" һәм "кассетага кассета" бер кристалл кремний вафаларын тулысынча автоматлаштыруны тормышка ашыра ала.
Ике яклы тарту:
Кремний вафины әйләнү тартмасы кремний вафиның өске һәм аскы өслекләрен эшкәрткәндә, эш кисәген күчерергә һәм этапларда башкарырга кирәк, бу эффективлыкны чикли. Шул ук вакытта, кремний вафин әйләндергеч тартмада күчереп алу (күчереп алу) һәм тарту билгеләре (тегермән билгесе) бар, һәм чыбык киселгәннән соң бер кристалл кремний вафаты өслегендә дулкынлану һәм кимчелек кебек кимчелекләрне эффектив рәвештә бетереп булмый. (күп ара), 4 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә. aboveгарыдагы кимчелекләрне җиңәр өчен, 1990-нчы елларда ике яклы тарту технологиясе (икеләтеп тарту) барлыкка килде, һәм аның принцибы 5 нче рәсемдә күрсәтелде. симметрияле ике яктан таратылган, кристалл кремний вафинны саклап калу боҗрасында кысалар һәм ролик белән әкрен генә әйләнәләр. Бер пар чынаяк формасындагы бриллиант тарту тәгәрмәчләре чагыштырмача бер кристалл кремний вафинның ике ягында урнашкан. Electricава йөртүче электр шакмаклары белән идарә итәләр, алар каршы якка әйләнәләр һәм бер кристалл кремний вафинның ике яклы тартуына ирешү өчен охшаш тукланалар. Рәсемнән күренгәнчә, ике яклы тартма чыбык киселгәннән соң бер кристалл кремний вафаты өслегендә дулкынны һәм тактаны эффектив рәвештә бетерә ала. Тегермәнле тәгәрмәч күчәренең тәртип юнәлеше буенча, ике яклы тарту горизонталь һәм вертикаль булырга мөмкин. Алар арасында горизонталь ике яклы тарту кремний вафат деформациясенең кремний вафинның үлгән авырлыгы аркасында тарту сыйфатын эффектив киметә ала, һәм бер кристалл кремнийның ике ягында да тарту процессы шартларын тәэмин итү җиңел. вафер бер үк, һәм абразив кисәкчәләр һәм тарту чиплары бер кристалл кремний вафер өслегендә калу җиңел түгел. Бу чагыштырмача идеаль тарту ысулы.
4 нче рәсем, "Хата күчермәсе" һәм кремний вафин әйләнеше тартмасындагы билге җитешсезлекләре
Рәсем 5, ике яклы тарту принцибының схематик схемасы
1 нче таблицада кристалл кремний ваферларның югарыдагы өч төрен тарту һәм ике яклы тарту арасында чагыштыру күрсәтелгән. Ике яклы тарту, нигездә, 200 ммнан түбән кремний вафер эшкәртү өчен кулланыла, һәм югары вафин уңышы бар. Туры абразив тарткыч тәгәрмәчләр куллану аркасында, бер кристалл кремний вафаларны тарту, ике яклы тарттыруга караганда, өслек сыйфатын күпкә югарырак ала ала. Шуңа күрә, кремний вафер әйләнешле тарту һәм ике яклы тарту 300 мм кремний вафин эшкәртү сыйфаты таләпләренә җавап бирә ала, һәм хәзерге вакытта яссылыкны эшкәртү өчен иң мөһим ысул булып тора. Кремний ваферны тигезләү эшкәртү ысулын сайлаганда, диаметр зурлыгы, өслек сыйфаты, бер кристалл кремний ваферның полосаны эшкәртү технологиясе таләпләрен тулысынча карарга кирәк. Вафинның арткы нечкәлеге бер яклы эшкәртү ысулын сайлый ала, мәсәлән, кремний вафин әйләнү тарту ысулы.
Кремний вафер тартуда тарту ысулын сайлау белән беррәттән, уңай басым, тәгәрмәч тәгәрмәче ашлык зурлыгы, тәгәрмәч тәгәрмәче бәйләү, тәгәрмәч тәгәрмәче тизлеге, кремний вафин тизлеге, тарту сыеклыгы ябышлыгы кебек акыллы процесс параметрларын сайларга кирәк. агым темплары һ.б., акыллы процесс маршрутын билгелиләр. Гадәттә, югары эшкәртү эффективлыгы, югары өслекнең яссылыгы һәм түбән өслеге бозылган кристалл кремний вафаларын алу өчен, тупас тарту, ярымфинал тарту, бетү тарту, очкынсыз тарту һәм әкрен ярдәм белән сегментланган тарту процессы кулланыла.
Яңа тарту технологиясе әдәбиятка мөрәҗәгать итә ала:
Рәсем 5, ТАИКО тарту принцибының схематик схемасы
6 нчы рәсем, планета дискларын тарту принцибының схематик схемасы
Ультра-нечкә вафин тарту тарту технологиясе:
Вафер ташучы тарттыру нечкәлеге һәм кыр тарту технологиясе бар (5 нче рәсем).
Пост вакыты: Авг-08-2024