Кайбер органик һәм органик булмаган матдәләр ярымүткәргеч җитештерүдә катнашырга тиеш. Моннан тыш, процесс һәрвакыт чиста бүлмәдә кеше катнашуы белән үткәрелә, ярымүткәргечваферлартөрле пычраклар белән котылгысыз пычраналар.
Пычраткыч матдәләрнең чыганагы һәм табигате буенча аларны якынча дүрт категориягә бүлеп була: кисәкчәләр, органик матдәләр, металл ионнары һәм оксидлар.
1. Кисәкчәләр:
Кисәкчәләр, нигездә, кайбер полимерлар, фоторезистлар һәм пычрак пычраклар.
Мондый пычраткыч матдәләр, гадәттә, интермолекуляр көчләргә таянып, вафер өслегендә adsorb ясыйлар, геометрик фигуралар формалашуга һәм җайланманың фотолитография процессының электр параметрларына тәэсир итәләр.
Мондый пычраткыч матдәләр, нигездә, контакт мәйданын әкренләп киметеп бетереләваферфизик яки химик ысуллар аша.
2. Органик матдәләр:
Органик пычраклык чыганаклары чагыштырмача киң, мәсәлән, кеше тире мае, бактерияләр, машина мае, вакуум майы, фоторезист, чистартучы эреткечләр һ.б.
Мондый пычраткыч матдәләр, гадәттә, чистарту сыеклыгы вафин өслегенә килеп җитмәсен өчен, вафин өслегендә органик пленка ясыйлар, нәтиҗәдә вафин өслеген тулысынча чистарталар.
Мондый пычраткыч матдәләрне бетерү еш чистарту процессының беренче адымында ясала, нигездә күкерт кислотасы һәм водород пероксиды кебек химик ысуллар кулланып.
3. Металл ионнары:
Гадәттәге металл пычракларга тимер, бакыр, алюминий, хром, чуен, титан, натрий, калий, литий һ.б. керә. Төп чыганаклар - төрле савыт-саба, торба, химик реагентлар, эшкәртү вакытында металл үзара бәйләнеш барлыкка килгәндә барлыкка килгән металл пычрануы.
Бу төр пычраклык химик ысуллар белән металл ион комплекслары формалаштыру аша еш бетерелә.
4. Оксид:
Ярымүткәргеч булгандаваферларкислород һәм су булган мохиткә тәэсир итәләр, өслектә табигый оксид катламы барлыкка киләчәк. Бу оксид пленка ярымүткәргеч җитештерүдә күп процессларга комачаулый һәм шулай ук кайбер металл пычракларны үз эченә ала. Аерым шартларда алар электр җитешсезлекләрен барлыкка китерәчәк.
Бу оксид пленкасын чыгару еш кына эретелгән гидрофлор кислотасына батып тәмамлана.
Гомуми чистарту эзлеклелеге
Ярымүткәргеч өслегендә пычраклыкларваферларөч төргә бүлеп була: молекуляр, ион һәм атом.
Алар арасында молекуляр пычраклар белән вафер өслеге арасындагы adsorption көче зәгыйфь, һәм бу төр пычрак кисәкчәләрне чыгару чагыштырмача җиңел. Алар күбесенчә гидрофобик характеристикалары булган майлы пычраклар, алар ярымүткәргеч вафалар өслеген пычратучы ион һәм атом пычраклары өчен маска бирә ала, бу ике төр пычракны бетерү өчен ярдәм итми. Шуңа күрә, ярымүткәргеч вафиннарны химик яктан чистартканда, молекуляр пычракларны башта бетерергә кирәк.
Шуңа күрә ярымүткәргечнең гомуми процедурасываферчистарту процессы:
Де-молекуляризация-деионизация-де-атомизация-деонизацияләнгән су чайкау.
Моннан тыш, вафин өслегендәге табигый оксид катламын чыгару өчен, эретелгән аминокислотаны сеңдерүче адым өстәргә кирәк. Шуңа күрә чистарту идеясы - башта органик пычрануны бетерү; аннары оксид катламын эретегез; ниһаять, кисәкчәләрне һәм металл пычрануны бетерегез, һәм бер үк вакытта өслекне пассивлаштырыгыз.
Гомуми чистарту ысуллары
Ярымүткәргеч вафиннарны чистарту өчен химик ысуллар еш кулланыла.
Химик чистарту - төрле химик реагентлар һәм органик эреткечләр куллану процессын аңлата, вафер өслегендәге пычракларны һәм нефть тапларын чистарту яки эретү өчен, аннары күп чиста югары кайнар һәм салкын деонизацияләнгән су белән юыгыз. чиста өслек.
Химик чистартуны дымлы химик чистартуга һәм коры химик чистартуга бүлеп була, алар арасында дымлы химик чистарту һаман да өстенлек итә.
Дымлы химик чистарту
1. Дымлы химик чистарту:
Дымлы химик чистарту, нигездә, эремә чумдыру, механик сөртү, УЗИ чистарту, мегасоник чистарту, әйләндергеч сиптерү һ.б.
2. Чишү чишелеше:
Чишелешне чумдыру - вафинны химик эремәгә батырып, өслекнең пычрануын бетерү ысулы. Бу дымлы химик чистартуда иң еш кулланыла торган ысул. Вафин өслегендә төрле пычраткыч матдәләрне бетерү өчен төрле карарлар кулланырга мөмкин.
Гадәттә, бу ысул вафин өслегендәге пычракларны тулысынча бетерә алмый, шуңа күрә җылыту, УЗИ, кайнату кебек физик чаралар чумганда еш кулланыла.
3. Механик сөртү:
Механик сөртү еш вафер өслегендәге кисәкчәләрне яки органик калдыкларны чыгару өчен кулланыла. Аны гадәттә ике ысулга бүлеп була:сөртүче белән кул белән сөртү һәм сөртү.
Кул белән сөртүиң гади сөртү ысулы. Датсыз корыч кисточка сусыз этанолга яки башка органик эреткечләргә сугарылган тупны тоту өчен, балавыз пленкасын, тузанны, калдыклы клейны яки башка каты кисәкчәләрне чыгару өчен, вафин өслеген әкрен генә шул юнәлештә сөртегез. Бу ысул җиңел һәм җитди пычрануга китерә.
Сөртүче йомшак йон кисточкасы яки катнаш кисточка белән вафер өслеген сөртү өчен механик әйләнеш куллана. Бу ысул вафердагы тырмаларны бик киметә. Mechanгары басымлы сөртүче механик сүрелү булмау аркасында ваферны тырнамас, һәм трюктагы пычрануны бетерә ала.
4. УЗИ чистарту:
УЗИ чистарту - ярымүткәргеч тармагында киң кулланылган чистарту ысулы. Аның өстенлекләре яхшы чистарту эффекты, гади эш, шулай ук катлаулы җайланмаларны һәм контейнерларны чистарта ала.
Бу чистарту ысулы көчле УЗИ дулкыннары тәэсирендә (гадәттә кулланыла торган УЗИ ешлыгы 20s40kHz), һәм сыеклык эчендә сирәк һәм тыгыз өлешләр барлыкка киләчәк. Сирәк өлеш вакуум куышлыгы диярлек барлыкка китерәчәк. Бушлык күпере юкка чыккач, аның янында көчле җирле басым барлыкка киләчәк, молекулалардагы химик бәйләнешләрне вафер өслегендәге пычракларны эретү өчен. УЗИ чистарту эри торган яки эри торган агым калдыкларын бетерү өчен иң эффектив.
5. Мегасоник чистарту:
Мегасоник чистарту УЗИ чистартуның өстенлекләренә генә түгел, кимчелекләрен дә җиңә.
Мегасоник чистарту - югары энергияле (850 кГц) ешлык тибрәнү эффектын химик чистарту агентларының химик реакциясе белән берләштереп ваферларны чистарту ысулы. Чистарту вакытында эремә молекулалары мегасоник дулкын белән тизләнәләр (максималь тизлек 30смВка җитә ала), һәм югары тизлекле сыеклык дулкыны вафер өслегенә өзлексез йогынты ясый, шулай итеп пычраткыч матдәләр һәм нечкә кисәкчәләр өслегенә бәйләнгән. вафин көчләп чыгарыла һәм чистарту эремәсенә керә. Чистарту эремәсенә кислоталы сирфактантлар өстәү, бер яктан, сирфактантларның adsorbsion ярдәмендә полировка өслегендә кисәкчәләрне һәм органик матдәләрне чыгару максатына ирешә ала; икенче яктан, сирфактантлар һәм кислота мохитен интеграцияләү ярдәмендә, ул полировка битендәге металл пычрануны бетерү максатына ирешә ала. Бу ысул бер үк вакытта механик сөртү һәм химик чистарту ролен уйный ала.
Хәзерге вакытта мегасоник чистарту ысулы полировкаларны чистарту өчен эффектив ысулга әйләнде.
6. Ротари спрей ысулы:
Әйләндергеч спрей ысулы - ваферны югары тизлектә әйләндерү өчен механик ысуллар кулланган, әйләнү процессында вафер өслегенә өзлексез сыеклык (югары чисталыклы деонизацияләнгән су яки башка чистарту сыеклыгы). вафин өслеге.
Бу ысул вафин өслегендәге пычратуны сиптерелгән сыеклыкта эретү өчен куллана (яки эретү өчен аның белән химик реакциядә), һәм пычрак булган сыеклыкны вафер өслегеннән аеру өчен югары тизлектәге әйләнешнең центрифугаль эффектын куллана. вакытында.
Әйләндергеч спрей ысулы химик чистарту, сыеклык механикасын чистарту, югары басымлы сөртү өстенлекләренә ия. Шул ук вакытта бу ысулны киптерү процессы белән дә берләштереп була. Дионлаштырылган су спрейларын чистартканнан соң, су спрейлары туктатыла һәм спрей газы кулланыла. Шул ук вакытта, вафин өслеген тиз дегидратлау өчен центрифугааль көчен арттыру өчен әйләнү тизлеген арттырырга мөмкин.
7.Коры химик чистарту
Коры чистарту - чишелешләрне кулланмаган чистарту технологиясен аңлата.
Хәзерге вакытта кулланылган коры чистарту технологияләре: плазманы чистарту технологиясе, газ фазасын чистарту технологиясе, нурларны чистарту технологиясе һ.б.
Коры чистартуның өстенлекләре гади процесс һәм әйләнә-тирә мохитне пычратмыйлар, ләкин бәясе зур һәм куллану күләме хәзерге вакытта зур түгел.
1. Плазманы чистарту технологиясе:
Плазманы чистарту еш фоторезистны чыгару процессында кулланыла. Плазма реакция системасына аз күләмдә кислород кертелә. Көчле электр кыры тәэсирендә кислород плазма ясый, ул фоторесистны тиз үзгәрүчән газ хәленә оксидлаштыра һәм чыгарыла.
Бу чистарту технологиясе җиңел эшләүнең, югары эффективлыкның, чиста өслекнең өстенлекләренә ия, тырнаклар юк, һәм дегумминг процессында продуктның сыйфатын тәэмин итү өчен уңайлы. Моннан тыш, ул кислоталар, эшкәртүләр һәм органик эреткечләр кулланмый, һәм калдыкларны утильләштерү һәм әйләнә-тирә мохитне пычрату кебек проблемалар юк. Шуңа күрә аны кешеләр көннән-көн кадерлиләр. Ләкин ул углеродны һәм башка үзгәрүчән булмаган металлны яки металл оксиды пычракларын бетерә алмый.
2. Газ фазасын чистарту технологиясе:
Газ фазасын чистарту - чистарту ысулын аңлата, ул сыек процесста тиешле матдәгә эквивалент булган газ фазасын куллана, пычракны бетерү максатына ирешү өчен, вафер өслегендәге пычратылган матдә белән үзара бәйләнештә.
Мәсәлән, CMOS процессында, вафинны чистарту газ фазасы һәм су парлары арасындагы үзара бәйләнешне оксидларны чыгару өчен куллана. Гадәттә, су булган HF процессы кисәкчәләрне чыгару процессы белән бергә булырга тиеш, ә газ фазасын HF чистарту технологиясен куллану алдагы кисәкчәләрне чыгару процессын таләп итми.
Су HF процессы белән чагыштырганда иң мөһим өстенлекләр - кечерәк HF химик куллану һәм югарырак чистарту эффективлыгы.
Киләсе сөйләшү өчен безгә бөтен дөньядан килгән клиентларны рәхим итегез!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Пост вакыты: 13-2024 август