4 tums GaAs Wafer

4-tums GaAs Wafer från VET Energy är ett viktigt material för höghastighets- och optoelektroniska enheter, inklusive RF-förstärkare, lysdioder och solceller. Dessa wafers är kända för sin höga elektronrörlighet och förmåga att arbeta vid högre frekvenser, vilket gör dem till en nyckelkomponent i avancerade halvledarapplikationer. VET Energy säkerställer högkvalitativa GaAs-skivor med jämn tjocklek och minimala defekter, lämpliga för en rad krävande tillverkningsprocesser.

Dessa 4-tums GaAs-skivor är kompatibla med olika halvledarmaterial som Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer och SiN Substrate, vilket gör dem mångsidiga för integrering i olika enhetsarkitekturer. Oavsett om de används för produktion av Epi Wafer eller tillsammans med banbrytande material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, erbjuder de en pålitlig grund för nästa generations elektronik. Dessutom är skivorna helt kompatibla med kassettbaserade hanteringssystem, vilket säkerställer smidig drift i både forsknings- och tillverkningsmiljöer med stora volymer.

VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Vår mångsidiga produktlinje tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.

VET Energy erbjuder anpassningsbara GaAs-skivor för att möta dina specifika krav, inklusive olika dopningsnivåer, orienteringar och ytfinish. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.