vet-china o loʻo tuʻuina atu le fou Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, o se fofo atoatoa mo le gaosiga o semiconductor alualu i luma. Fuafuaina ma le sa'o lelei, o lenei faiga o le fa'aogaina o le wafer e maua ai le mautu ma le fa'aogaina e le mafaatusalia, e taua tele mo siosiomaga gaosiga maualuga.
Ole Vertical Column Wafer Boat & Pedestal e fausia i mea fa'apitoa e fa'amautinoa ai le mautu o le vevela ma le tete'e atu i vaila'au fa'a'ele'ele, ma fa'aaogāina ai mo faiga fa'atosina semiconductor. O lona fa'ailoga tulaga ese fa'atūsa'o lagolago fa'amaufa'ailoga masi, fa'aitiitia le fa'aletonu ma ono fa'aleagaina i le taimi o felauaiga ma le gaosiga.
Fa'atasi ai ma le tu'ufa'atasiga o le Va'a Wafer & Pedestal Vertical Column a vet-china, e mafai e le au gaosi semiconductor ona fa'amoemoeina le fa'aleleia atili o le gaosiga, fa'aitiitia le taimi fa'aletonu, ma le fa'ateleina o fua o oloa. O lenei faiga e fetaui ma le tele o wafer ma fetuutuunaiga, ofoina fetuutuunai ma scalability mo manaoga gaosiga eseese.
O le ta'utinoga a le vet-china i le tulaga lelei e fa'amautinoa ai e ausia e le Vertical Column Wafer Boat & Pedestal tulaga maualuga o le lelei ma le fa'atinoga. E ala i le filifilia o lenei fofo sili ona lelei, e te teu faʻafaigaluega i se lumanaʻi-faʻamaonia auala i le faʻaogaina o le wafer lea e faʻateleina ai le lelei ma le faʻamaoni i le gaosiga o semiconductor.
Meatotino o carbide silicon recrystallized
Recrystallized silicon carbide (R-SiC) o se mea maualuga-faatinoga ma maaa lona lua i taimane, lea e faia i se vevela maualuga i luga 2000 ℃. E taofiofia le tele o meatotino sili ona lelei o le SiC, e pei o le maualuga o le vevela malosi, malosi faʻafefete, faʻamaʻi faʻamaʻi lelei, faʻamaʻi faʻamaʻi lelei ma isi.
● Mea faʻainisinia sili ona lelei. Recrystallized silicon carbide e maualuga atu le malosi ma le maaa nai lo alava carbon, maualuga aafiaga tetee, e mafai ona faia se faatinoga lelei i siosiomaga vevela vevela, e mafai ona taʻalo se faʻatusatusaga sili atu i tulaga eseese. E le gata i lea, e iai foi le fetuutuunai lelei ma e le faigofie ona faʻaleagaina e ala i le faʻalauteleina ma le punou, lea e faʻaleleia atili ai lona faʻatinoga.
● Tete'e maualuga corrosion. Recrystallized silicon carbide e maualuga le tetee atu i le tele o ala o faasalalauga, e mafai ona taofia le tafia o le tele o ala o faasalalauga corrosive, e mafai ona faatumauina ona meatotino mo se taimi umi, e malosi le pipii, ina ia umi se olaga tautua. E le gata i lea, o loʻo i ai foi le faʻamautu lelei o le vevela, e mafai ona faʻafetaui i se vaega o suiga o le vevela, faʻaleleia lona aoga.
● E le solomuli. Ona o le sintering faagasologa e le solomuli, e leai se popolega o totoe o le a mafua ai le deformation po o le ta'e o le oloa, ma e mafai ona saunia vaega ma foliga faigata ma le sa'o maualuga.
| 重结晶碳化硅物理特性 Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 使用温度/ vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC含量/ SiC anotusi | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Free Si anotusi | < 0.1% |
| 体积密度/Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Fa'aaliga manino | <16% |
| 抗压强度/ Malosi fa'amalosi | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Fa'alautelega vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Fa'avevela vevela @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Fa'asao fa'alelei | 240 GPa |
| 抗热震性/ Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
VET Malosiaga o o legaosi moni o graphite faʻapitoa ma oloa kalisika carbide faʻatasi ma le CVD coating,mafai ona sapalaieseesevaega fa'apitoa mo semiconductor ma photovoltaic alamanuia. Our vaega faʻapitoa e sau mai faʻalapotopotoga suʻesuʻe pito i luga, e mafai ona tuʻuina atu faʻamatalaga faʻapitoa faʻapitoamo oe.
Matou te faʻaauau pea ona atiaʻe faʻagasologa alualu i luma e tuʻuina atu mea e sili atu ona maualuga,maua galue i fafo se tekinolosi pateni faapitoa, lea e mafai ona faia le sootaga i le va o le ufiufi ma le substrate faʻamalosi ma faʻaitiitia ai le faʻalavelave.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Meatino fa'aletino autu o le CVD SiCufiufi | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 晶体结构 / Fa'a tioata | FCC β vaega多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Malosi | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Maaa | 2500 维氏硬度（500g uta） |
| 晶粒大小 / Saito Tele | 2~10μm |
| 纯度 / Vailaau Mama | 99.99995% |
| 热容 / Malosiaga vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sulimation Temperature | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Malosi Fa'alilolilo | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le vevela(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Faʻafeiloaʻi faʻafeiloaʻi oe e asiasi i la matou falegaosimea, seʻi o tatou faia nisi talanoaga!
