VET Malosiaga SiC Susceptor ua ufiufiose fofo maualuga-fa'atinoina ma'oti le fa'atinoina e tu'uina atu fa'atuatuaina, fa'aauau le fa'atinoga i le umi o le soifuaga, fa'amalieina mana'oga faigata ole gaosiga semiconductor. O lo'o fa'aalia ai le fa'alavelave fa'afefeteina o le vevela, fa'alelei maualuga, ma le mama maualuga, o lenei oloa e lelei mo le MOCVD o lo'o feavea'i fa'ama'i ma isi fa'agaioiga gaogao e mana'omia ai le mautu ma le sa'o. O lona malosi malosi e tete'e ai i le tafia ua avea ai ma filifiliga sili mo si'osi'omaga e mana'omia ai le tumau ma le maufetuuna'i vaila'au.
O tatouSiC Coated Graphite Susceptore tu e avea o se vaega taua i le faiga o le gaosiga o le semiconductor, faʻaaogaina tekinolosi pateni faapitoa a le VET Energy e ausia ai le mama maualuga, maualuga le faʻapipiʻiina o le faʻapipiʻiina, ma le faʻamautuina o le vevela. O le faʻapipiʻiina e faʻaleleia ai le graphite substrate ma le maualuga o vailaʻau faʻasaina ma se faʻalauteleina o le ola tautua. O le tuuto o le VET Energy i le tulaga lelei ua mafua ai le SiC-coated susceptor e fetaui ma manaoga faʻaleleia o le maketi o le graphite wafer carrier, faʻatulagaina se tulaga maualuga mo susceptors graphite coated SiC faʻaaogaina i totonu.MOCVD faiga.
Vaega Autu o SiC Coated Susceptors:
1. Tete'e Oxidation Maualuluga:Taofi le vevela e oʻo atu i le 1700 ℃, faʻamalieina mo tulaga ogaoga gaioiga.
2. Fa'amama maualuga ma le fa'amea vevela:Faʻamautinoa taunuuga tumau, taua moMOCVD susceptorsma isi fa'aoga sa'o.
3. Tete'e sili ona pala:Talitonu i le ga'o, alkali, masima, ma mea eseese fa'aletino.
4. Fa'asili i luga ole Malosi:Lau'ele'ele fa'atasi ma ni vaega laiti e maua ai le tumau maualuga ma le umi.
5. Fa'ateleina le Soifua Auaunaga:Fa'ainisinia mo le fa'atinoina o galuega fa'atino, e sili atu le fa'atinoina o susceptors fa'apipi'iina karbida silikoni i totonu o si'osi'omaga faigata.
I le avea ai ma se ta'uta'ua gaosi oloa, VET Energy fa'apitoa i graphite fa'apitoa maoloa silikon carbidefaʻatasi ai ma filifiliga faʻapipiʻi eseese, e aofia aiSiC fa'apipi'i, TaC fa'apipi'i, ufiufi tioata tioata, ma le pyrolytic carbon coating. Matou te tautua ma le mitamita le semiconductor ma le photovoltaic alamanuia, fa'ao'o atu susceptors graphite fa'apipi'i silicon carbide e fetaui ma manaoga fa'atino.
O la matou 'au fa'atekinisi, fa'atasi ai ma le poto masani mai fa'alapotopotoga o su'esu'ega fa'apitonu'u pito i luga, e fa'amaoni i le fa'alauteleina o fofo fa'apitoa mo manaoga fa'atupulaia o leSusceptor graphite ua ufiufi SiCmaketi. E ala i la matou faiga pateni, VET Energy ua atiaʻe tekinolosi tulaga ese e faʻaleleia atili ai le malosi o fesoʻotaʻiga i le va o le carbide silicon coating ma le mea faʻapipiʻi, faʻaitiitia ai le lamatiaga o le vavae ese ma faʻaleleia le faʻatuatuaina umi.
Talosaga ma Fa'amanuiaga ile Semiconductor Processing
O leSiC coating mo MOCVDmafai aigraphite susceptorvaega e fa'amautu ai le fa'amaoni i lalo o le vevela ma le fa'aleagaina o si'osi'omaga, e taua tele mo le fa'atinoina o le semiconductor sa'o. O nei SiC-coated graphite vaega e sili ona taua i faiga e manaʻomia ai susceptors carbide-coated mographite wafer ave, lea e manaʻomia ai le maualuga o le vevela, mama, ma le tetee atu i vailaʻau faʻamaʻi.
Faatasi ai ma a matou metotia faʻapipiʻi silicon carbide, o loʻo faʻaauau pea ona lagolagoina e le VET Energy le maketi o le graphite wafer carrier e ala i le tuʻuina atu faʻapitoa, maualuga-faʻatinoga.Susceptors graphite ufiufi SiCe fa'atatau i lu'itau fa'apitoa tau alamanuia, mai le fa'agasologa o le MOCVD i fa'aoga mama-maualuga i le semiconductor field.