Va'a Wafer Feso'ota'i

Fa'amatalaga Puupuu:

O le Va'a Wafer Contiguous mai le vet-china ua mamanuina mo le lelei o le fa'aogaina o le wafer i le gaosiga o semiconductor. Fa'ainisinia ma le sa'o, vet-china's solution e fa'amautinoa ai le mautu o le vevela ma le fa'ama'iina o vaila'au, fa'amalieina fa'agasologa o gaosiga a'o fa'aitiitia le fa'aleagaina ma le fa'aleleia atili o le gaosiga.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

vet-china ua fa'alauiloa mai se Va'a Wafer Feso'ota'i fa'aonaponei fa'aonaponei ua fa'ainisinia mo le isi augatupulaga o le gaosiga o semiconductor. O lenei va'a fa'ata'atia ma'oti e ofoina atu le sa'o le mafaatusalia i le tagofiaina o wafer, fa'amautinoaina le fa'agaoioiga lelei ma fa'aitiitia ai le lamatiaga o le fa'aleagaina i le taimi o le gaosiga.

Fausia i mea e sili ona lelei, o le Contiguous Wafer Boat o loʻo faʻaalia ai le faʻamautu lelei o le vevela ma le faʻalavelave faʻapitoa o vailaʻau, ma faʻamaonia ai mo le vevela ma le vevela o siosiomaga kemisi. O lona mamanu fou e fa'amautinoa ai o lo'o fa'amauina lelei ma fa'aoga lelei le fa'aoga lelei o le gaosiga ma fa'ateleina le gaosiga lelei.

O lenei va'a wafer pito sili ona fa'aogaina e fa'amalieina mana'oga mana'omia o fale semiconductor fa'aonaponei, e lagolagoina ai lapopo'a eseese ma fetuutuunaiga. E ala i le tu'ufa'atasia o le Va'a Wafer Contiguous mai le vet-china i totonu o lau laina gaosiga, e mafai ona e fa'amoemoeina le fa'aleleia atili o le fa'atinoga, fa'aitiitia taimi fa'aletonu, ma fa'ateleina fua o fua.

Tofo i le eseesega ma le tautinoga a le vet-china i le lelei ma le faʻafouina, tuʻuina atu oloa e tuleia ai tuaoi o gaosiga semiconductor. Filifili le Va'a Wafer Feso'ota'i ma si'i a'e lou agava'a fa'agaoioiga o le wafer i se maualuga fou.

Va'a Wafer Feso'ota'i-3

Meatotino o carbide silicon recrystallized

Recrystallized silicon carbide (R-SiC) o se mea maualuga-faatinoga ma maaa lona lua i taimane, lea e faia i se vevela maualuga i luga 2000 ℃. E taofiofia le tele o meatotino sili ona lelei o le SiC, e pei o le maualuga o le vevela malosi, malosi faʻafefete, faʻamaʻi faʻamaʻi lelei, faʻamaʻi faʻamaʻi lelei ma isi.

● Mea faʻainisinia sili ona lelei. Recrystallized silicon carbide e maualuga atu le malosi ma le maaa nai lo alava carbon, maualuga aafiaga tetee, e mafai ona faia se faatinoga lelei i siosiomaga vevela vevela, e mafai ona taʻalo se faʻatusatusaga sili atu i tulaga eseese. E le gata i lea, e iai foi le fetuutuunai lelei ma e le faigofie ona faʻaleagaina e ala i le faʻalauteleina ma le punou, lea e faʻaleleia atili ai lona faʻatinoga.

● Tete'e maualuga corrosion. Recrystallized silicon carbide e maualuga le tetee atu i le tele o ala o faasalalauga, e mafai ona taofia le tafia o le tele o ala o faasalalauga corrosive, e mafai ona faatumauina ona meatotino mo se taimi umi, e malosi le pipii, ina ia umi se olaga tautua. E le gata i lea, o loʻo i ai foi le faʻamautu lelei o le vevela, e mafai ona faʻafetaui i se vaega o suiga o le vevela, faʻaleleia lona aoga.

● E le solomuli. Ona o le sintering faagasologa e le solomuli, e leai se popolega o totoe o le a mafua ai le deformation po o le ta'e o le oloa, ma e mafai ona saunia vaega ma foliga faigata ma le sa'o maualuga.

重结晶碳化硅物理特性

Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista

性质 / Meatotino

典型数值 / Taua masani

使用温度/ vevela galue (°C)

1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga)

SiC含量/ SiC anotusi

> 99.96%

自由Si含量/ Free Si anotusi

< 0.1%

体积密度/Fa'atosina tele

2.60-2.70 g/cm3

气孔率/ Fa'aaliga manino

<16%

抗压强度/ Malosi fa'amalosi

> 600MPa

常温抗弯强度/Malosi punou malulu

80-90 MPa (20°C)

高温抗弯强度Malosi o le punou vevela

90-100 MPa (1400°C)

热膨胀系数/ Fa'alautelega vevela @1500°C

4.70 10-6/°C

导热系数/Fa'avevela vevela @1200°C

23W/m•K

杨氏模量/ Fa'asao fa'alelei

240 GPa

抗热震性/ Tete'e te'i vevela

Lelei tele

VET Malosiaga o o legaosi moni o graphite faʻapitoa ma oloa kalisika carbide faʻatasi ma le CVD coating,mafai ona sapalaieseesevaega fa'apitoa mo semiconductor ma photovoltaic alamanuia. Our vaega faʻapitoa e sau mai faʻalapotopotoga suʻesuʻe pito i luga, e mafai ona tuʻuina atu faʻamatalaga faʻapitoa faʻapitoamo oe.

Matou te faʻaauau pea ona atiaʻe faʻagasologa alualu i luma e tuʻuina atu mea e sili atu ona maualuga,maua galue i fafo se tekinolosi pateni faapitoa, lea e mafai ona faia le sootaga i le va o le ufiufi ma le substrate faʻamalosi ma faʻaitiitia ai le faʻalavelave.

CVD SiC薄膜基本物理性能

Meatino fa'aletino autu o le CVD SiCufiufi

性质 / Meatotino

典型数值 / Taua masani

晶体结构 / Fa'a tioata

FCC β vaega多晶,主要为(111)取向

密度 / Malosi

3.21 g/cm³

硬度 / Maaa

2500 维氏硬度(500g uta)

晶粒大小 / Saito Tele

2~10μm

纯度 / Vailaau Mama

99.99995%

热容 / Malosiaga vevela

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sulimation Temperature

2700 ℃

抗弯强度 / Malosi Fa'alilolilo

415 MPa RT 4-point

杨氏模量 / Young's Modulus

430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃

导热系数 / ThermalConductivity

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le vevela(CTE)

4.5×10-6K-1

1

2

Faʻafeiloaʻi faʻafeiloaʻi oe e asiasi i la matou falegaosimea, seʻi o tatou faia nisi talanoaga!

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