vet-china fa'amautinoa o Tumau umaSilicon Carbide Wafer Taulimaina Foee sili ona lelei le faatinoga ma le tumau. E fa'aogaina e lenei foe fa'ato'aga fa'ama'i silicon carbide fa'agaioiga gaosiga e fa'amautinoa ai o lo'o mautu lona fa'atulagaina ma fa'atinoga e tumau i le vevela maualuga ma si'osi'omaga e pala. O lenei mamanu fou e maua ai le lagolago sili mo le faʻaogaina o le semiconductor wafer, aemaise lava mo le faʻaogaina otometi maualuga.
SiC Cantilever Foeo se vaega faʻapitoa o loʻo faʻaaogaina i masini gaosiga semiconductor e pei o le ogaumu faʻamaʻi, faʻafefete faʻasalalau, ma le ogaumu faʻafefe, o le faʻaoga autu e mo le faʻapipiʻiina ma le laʻuina o mea, lagolago ma felauaiga wafers i le taimi o le maualuga o le vevela.
Fauga masanioSiCcantileverpaddle: o se fausaga fa'alava, fa'amau i le tasi pito ae sa'oloto i le isi, e masani ona i ai se mamanu mafolafola ma pei o le foe.
GaluegapteleoSiCcantileverpaddle:
O le foe faʻalava e mafai ona gaoioi i luga ma lalo poʻo tua ma luma i totonu o le ogaumu potu, e mafai ona faʻaaogaina e faʻanofo ai fafie mai nofoaga faʻapipiʻi i nofoaga gaosi, poʻo fafo atu o nofoaga gaosi, lagolago ma faʻamautu wafers i le taimi o le gaosiga o le vevela maualuga.
| Mea fa'aletino o le Silicon Carbide ua toe fa'akrista | |
| Meatotino | Taua masani |
| vevela galue (°C) | 1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (faaitiitia le siosiomaga) |
| SiC anotusi | > 99.96% |
| Free Si anotusi | < 0.1% |
| Fa'atosina tele | 2.60-2.70 g/cm3 |
| E aliali mai le porosity | <16% |
| Malosi fa'amalosi | > 600 MPa |
| Malosi punou malulu | 80-90 MPa (20°C) |
| Malosi o le punou vevela | 90-100 MPa (1400°C) |
| Fa'ateleina le vevela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Fa'avevela vevela @1200°C | 23 W/m•K |
| Fa'aula'i fa'alava | 240 GPa |
| Tete'e te'i vevela | Lelei tele |
