12-palcový silikónový plátok na výrobu polovodičov ponúkaný spoločnosťou VET Energy je navrhnutý tak, aby spĺňal presné štandardy požadované v polovodičovom priemysle. Ako jeden z popredných produktov v našej zostave, VET Energy zaisťuje, že tieto doštičky sú vyrábané s presnou plochosťou, čistotou a kvalitou povrchu, vďaka čomu sú ideálne pre špičkové polovodičové aplikácie, vrátane mikročipov, senzorov a pokročilých elektronických zariadení.
Tento plátok je kompatibilný so širokou škálou materiálov, ako je Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate a Epi Wafer, čo poskytuje vynikajúcu všestrannosť pre rôzne výrobné procesy. Okrem toho sa dobre spáruje s pokročilými technológiami, ako je oxid gália Ga2O3 a AlN Wafer, čo zaisťuje, že ho možno integrovať do vysoko špecializovaných aplikácií. Pre hladkú prevádzku je doštička optimalizovaná na použitie s priemyselnými štandardnými kazetovými systémami, čo zaisťuje efektívnu manipuláciu pri výrobe polovodičov.
Produktový rad VET Energy nie je obmedzený na kremíkové doštičky. Poskytujeme tiež širokú škálu polovodičových substrátových materiálov, vrátane SiC substrátu, SOI doštičky, SiN substrátu, Epi doštičky atď., ako aj nových polovodičových materiálov so širokým pásmom, ako je oxid gália Ga2O3 a doštička AlN. Tieto produkty môžu spĺňať aplikačné potreby rôznych zákazníkov v oblasti výkonovej elektroniky, rádiovej frekvencie, senzorov a iných oblastí.
Oblasti použitia:
•Logické čipy:Výroba vysokovýkonných logických čipov, ako sú CPU a GPU.
•Pamäťové čipy:Výroba pamäťových čipov ako DRAM a NAND Flash.
•Analógové čipy:Výroba analógových čipov ako ADC a DAC.
•Senzory:MEMS snímače, obrazové snímače atď.
VET Energy poskytuje zákazníkom prispôsobené riešenia doštičiek a môže prispôsobiť doštičky s rôznym odporom, rôznym obsahom kyslíka, rôznou hrúbkou a inými špecifikáciami podľa špecifických potrieb zákazníkov. Okrem toho poskytujeme aj profesionálnu technickú podporu a popredajný servis, aby sme zákazníkom pomohli optimalizovať výrobné procesy a zlepšiť výťažnosť produktov.
ŠPECIFIKÁCIE WAFEROV
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow (GF3YFCD) - Absolútna hodnota | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Oblátkový okraj | Skosenie |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Obojstranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnosť povrchu | (10 um x 10 um) Si-FaceRa ≤ 0,2 nm | (5 um x 5 um) Si-Face Ra ≤ 0,2 nm | |||
Hranové čipy | Nie je povolené (dĺžka a šírka ≥ 0,5 mm) | ||||
Zarážky | Žiadne Povolené | ||||
Škrabance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | ||
Trhliny | Žiadne Povolené | ||||
Vylúčenie okrajov | 3 mm |