4-дюймовая пластина GaAs от VET Energy является важным материалом для высокоскоростных и оптоэлектронных устройств, включая радиочастотные усилители, светодиоды и солнечные элементы. Эти пластины известны своей высокой подвижностью электронов и способностью работать на более высоких частотах, что делает их ключевым компонентом в современных полупроводниковых приложениях. VET Energy обеспечивает высококачественные пластины GaAs с одинаковой толщиной и минимальными дефектами, подходящие для ряда сложных производственных процессов.
Эти 4-дюймовые пластины GaAs совместимы с различными полупроводниковыми материалами, такими как Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer и SiN Substrate, что делает их универсальными для интеграции в различные архитектуры устройств. Независимо от того, используются ли они для производства пластин Epi или вместе с передовыми материалами, такими как оксид галлия Ga2O3 и пластина AlN, они предлагают надежную основу для электроники следующего поколения. Кроме того, пластины полностью совместимы с кассетными системами обработки, обеспечивая бесперебойную работу как в исследовательских, так и в крупносерийных производственных условиях.
VET Energy предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продуктов удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.
VET Energy предлагает настраиваемые пластины GaAs в соответствии с вашими конкретными требованиями, включая различные уровни легирования, ориентации и обработки поверхности. Наша команда экспертов обеспечивает техническую поддержку и послепродажное обслуживание для обеспечения вашего успеха.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
ТТВ(ГБИР) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформация(GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Край вафли | Снятие фаски |
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
Поверхностная обработка | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
Шероховатость поверхности | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм | |||
Краевые чипы | Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм) | ||||
Отступы | Ничего не разрешено | ||||
Царапины (Si-Face) | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | ||
Трещины | Ничего не разрешено | ||||
Исключение краев | 3 мм |