4-дюймовая пластина GaAs

Краткое описание:

4-дюймовая пластина GaAs VET Energy представляет собой полупроводниковую подложку высокой чистоты, известную своими превосходными электронными свойствами, что делает ее идеальным выбором для широкого спектра применений. VET Energy использует передовые методы выращивания кристаллов для производства пластин GaAs с исключительной однородностью, низкой плотностью дефектов и точным уровнем легирования.


Детали продукта

Теги продукта

4-дюймовая пластина GaAs от VET Energy является важным материалом для высокоскоростных и оптоэлектронных устройств, включая радиочастотные усилители, светодиоды и солнечные элементы. Эти пластины известны своей высокой подвижностью электронов и способностью работать на более высоких частотах, что делает их ключевым компонентом в современных полупроводниковых приложениях. VET Energy обеспечивает высококачественные пластины GaAs с одинаковой толщиной и минимальными дефектами, подходящие для ряда сложных производственных процессов.

Эти 4-дюймовые пластины GaAs совместимы с различными полупроводниковыми материалами, такими как Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer и SiN Substrate, что делает их универсальными для интеграции в различные архитектуры устройств. Независимо от того, используются ли они для производства пластин Epi или вместе с передовыми материалами, такими как оксид галлия Ga2O3 и пластина AlN, они предлагают надежную основу для электроники следующего поколения. Кроме того, пластины полностью совместимы с кассетными системами обработки, обеспечивая бесперебойную работу как в исследовательских, так и в крупносерийных производственных условиях.

VET Energy предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продуктов удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.

VET Energy предлагает настраиваемые пластины GaAs в соответствии с вашими конкретными требованиями, включая различные уровни легирования, ориентации и обработки поверхности. Наша команда экспертов обеспечивает техническую поддержку и послепродажное обслуживание для обеспечения вашего успеха.

第6页-36
第6页-35

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

ТТВ(ГБИР)

≤6 мкм

≤6 мкм

Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность

≤15 мкм

≤15 мкм

≤25 мкм

≤15 мкм

Деформация(GF3YFER)

≤25 мкм

≤25 мкм

≤40 мкм

≤25 мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм

<2 мкм

Край вафли

Снятие фаски

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

Поверхностная обработка

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм
C-лицо Ra≤ 0,5 нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм
C-лицо Ra≤0,5 нм

Краевые чипы

Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм)

Отступы

Ничего не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Ничего не разрешено

Исключение краев

3 мм

tech_1_2_size
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!