6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC

Краткое описание:

Полуизолирующая пластина карбида кремния (SiC) VET Energy диаметром 6 дюймов представляет собой высококачественную подложку, идеально подходящую для широкого спектра применений силовой электроники. VET Energy использует передовые методы выращивания для производства пластин SiC с исключительным качеством кристаллов, низкой плотностью дефектов и высоким удельным сопротивлением.


Детали продукта

Теги продукта

6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC от VET Energy — это современное решение для мощных и высокочастотных применений, обеспечивающее превосходную теплопроводность и электрическую изоляцию. Эти полуизолирующие пластины необходимы при разработке таких устройств, как радиочастотные усилители, силовые переключатели и другие высоковольтные компоненты. VET Energy обеспечивает стабильное качество и производительность, что делает эти пластины идеальными для широкого спектра процессов производства полупроводников.

Помимо своих выдающихся изоляционных свойств, эти пластины SiC совместимы с различными материалами, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate и Epi Wafer, что делает их универсальными для различных типов производственных процессов. Кроме того, в сочетании с этими пластинами SiC можно использовать такие современные материалы, как оксид галлия Ga2O3 и пластины AlN, что обеспечивает еще большую гибкость в мощных электронных устройствах. Пластины разработаны для полной интеграции со стандартными системами обработки, такими как кассетные системы, что обеспечивает простоту использования в условиях массового производства.

VET Energy предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продуктов удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.

6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC имеет ряд преимуществ:
Высокое напряжение пробоя: широкая запрещенная зона SiC обеспечивает более высокие напряжения пробоя, что позволяет создавать более компактные и эффективные силовые устройства.
Работа при высоких температурах: отличная теплопроводность карбида кремния позволяет работать при более высоких температурах, повышая надежность устройства.
Низкое сопротивление включения: устройства SiC демонстрируют более низкое сопротивление включения, что снижает потери мощности и повышает энергоэффективность.

VET Energy предлагает пластины SiC, изготовленные по индивидуальному заказу, в соответствии с вашими конкретными требованиями, включая различную толщину, уровень легирования и обработку поверхности. Наша команда экспертов обеспечивает техническую поддержку и послепродажное обслуживание для обеспечения вашего успеха.

第6页-36
第6页-35

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

ТТВ(ГБИР)

≤6 мкм

≤6 мкм

Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность

≤15 мкм

≤15 мкм

≤25 мкм

≤15 мкм

Деформация(GF3YFER)

≤25 мкм

≤25 мкм

≤40 мкм

≤25 мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм

<2 мкм

Край вафли

Снятие фаски

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

Поверхностная обработка

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм
C-лицо Ra≤ 0,5 нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм
C-лицо Ra≤0,5 нм

Краевые чипы

Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм)

Отступы

Ничего не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Ничего не разрешено

Исключение краев

3 мм

tech_1_2_size
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!