6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC от VET Energy — это современное решение для мощных и высокочастотных применений, обеспечивающее превосходную теплопроводность и электрическую изоляцию. Эти полуизолирующие пластины необходимы при разработке таких устройств, как радиочастотные усилители, силовые переключатели и другие высоковольтные компоненты. VET Energy обеспечивает стабильное качество и производительность, что делает эти пластины идеальными для широкого спектра процессов производства полупроводников.
Помимо своих выдающихся изоляционных свойств, эти пластины SiC совместимы с различными материалами, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate и Epi Wafer, что делает их универсальными для различных типов производственных процессов. Кроме того, в сочетании с этими пластинами SiC можно использовать такие современные материалы, как оксид галлия Ga2O3 и пластины AlN, что обеспечивает еще большую гибкость в мощных электронных устройствах. Пластины разработаны для полной интеграции со стандартными системами обработки, такими как кассетные системы, что обеспечивает простоту использования в условиях массового производства.
VET Energy предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продуктов удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.
6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC имеет ряд преимуществ:
Высокое напряжение пробоя: широкая запрещенная зона SiC обеспечивает более высокие напряжения пробоя, что позволяет создавать более компактные и эффективные силовые устройства.
Работа при высоких температурах: отличная теплопроводность карбида кремния позволяет работать при более высоких температурах, повышая надежность устройства.
Низкое сопротивление включения: устройства SiC демонстрируют более низкое сопротивление включения, что снижает потери мощности и повышает энергоэффективность.
VET Energy предлагает пластины SiC, изготовленные по индивидуальному заказу, в соответствии с вашими конкретными требованиями, включая различную толщину, уровень легирования и обработку поверхности. Наша команда экспертов обеспечивает техническую поддержку и послепродажное обслуживание для обеспечения вашего успеха.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
ТТВ(ГБИР) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформация(GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Край вафли | Снятие фаски |
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
Поверхностная обработка | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
Шероховатость поверхности | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм | |||
Краевые чипы | Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм) | ||||
Отступы | Ничего не разрешено | ||||
Царапины (Si-Face) | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | ||
Трещины | Ничего не разрешено | ||||
Исключение краев | 3 мм |