GaN em wafer de silício para RF

VET Energy GaN em Silicon Wafer é uma solução de semicondutores de última geração projetada especificamente para aplicações de radiofrequência (RF). Ao cultivar nitreto de gálio (GaN) de alta qualidade epitaxialmente em um substrato de silício, a VET Energy oferece uma plataforma econômica e de alto desempenho para uma ampla gama de dispositivos de RF.

Este wafer GaN em silício é compatível com outros materiais, como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate, expandindo sua versatilidade para vários processos de fabricação. Além disso, ele é otimizado para uso com Epi Wafer e materiais avançados como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, que aprimoram ainda mais suas aplicações em eletrônica de alta potência. Os wafers são projetados para integração perfeita em sistemas de fabricação usando manuseio de cassetes padrão para facilidade de uso e maior eficiência de produção.

A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.

GaN em Silicon Wafer oferece várias vantagens para aplicações de RF:

       • Desempenho de alta frequência:O amplo bandgap e a alta mobilidade de elétrons do GaN permitem operação em alta frequência, tornando-o ideal para 5G e outros sistemas de comunicação de alta velocidade.
     • Alta densidade de potência:Os dispositivos GaN podem lidar com densidades de potência mais altas em comparação com os dispositivos tradicionais baseados em silício, resultando em sistemas de RF mais compactos e eficientes.
       • Baixo consumo de energia:Dispositivos GaN apresentam menor consumo de energia, resultando em maior eficiência energética e redução na dissipação de calor.

Aplicações:

       • Comunicação sem fio 5G:GaN em wafers de silício são essenciais para a construção de estações base 5G e dispositivos móveis de alto desempenho.
     • Sistemas de radar:Amplificadores de RF baseados em GaN são usados ​​em sistemas de radar por sua alta eficiência e ampla largura de banda.
   • Comunicação via satélite:Dispositivos GaN permitem sistemas de comunicação via satélite de alta potência e alta frequência.
     • Eletrônica militar:Componentes de RF baseados em GaN são usados ​​em aplicações militares, como guerra eletrônica e sistemas de radar.

A VET Energy oferece GaN personalizável em wafers de silício para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes níveis de dopagem, espessuras e tamanhos de wafer. Nossa equipe de especialistas fornece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir seu sucesso.