Wafer de silício de 12 polegadas para fabricação de semicondutores

Breve descrição:

Os wafers de silício de 12 polegadas da VET Energy são os principais materiais básicos da indústria de fabricação de semicondutores. A VET Energy usa tecnologia avançada de crescimento CZ para garantir que os wafers tenham excelente qualidade de cristal, baixa densidade de defeitos e alta uniformidade, fornecendo um substrato sólido e confiável para seus dispositivos semicondutores.


Detalhes do produto

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O wafer de silício de 12 polegadas para fabricação de semicondutores oferecido pela VET Energy foi projetado para atender aos padrões precisos exigidos na indústria de semicondutores. Como um dos produtos líderes em nossa linha, a VET Energy garante que esses wafers sejam produzidos com planicidade, pureza e qualidade de superfície exatas, tornando-os ideais para aplicações de semicondutores de ponta, incluindo microchips, sensores e dispositivos eletrônicos avançados.

Este wafer é compatível com uma ampla gama de materiais, como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi Wafer, proporcionando excelente versatilidade para vários processos de fabricação. Além disso, combina bem com tecnologias avançadas como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, garantindo que possa ser integrado em aplicações altamente especializadas. Para uma operação suave, o wafer é otimizado para uso com sistemas de cassetes padrão da indústria, garantindo um manuseio eficiente na fabricação de semicondutores.

A linha de produtos da VET Energy não se limita às pastilhas de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, Epi Wafer, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outros campos.

Áreas de aplicação:
Chips lógicos:Fabricação de chips lógicos de alto desempenho, como CPU e GPU.
Chips de memória:Fabricação de chips de memória como DRAM e NAND Flash.
Chips analógicos:Fabricação de chips analógicos como ADC e DAC.
Sensores:Sensores MEMS, sensores de imagem, etc.

A VET Energy fornece aos clientes soluções personalizadas de wafer e pode personalizar wafers com diferentes resistividades, diferentes conteúdos de oxigênio, diferentes espessuras e outras especificações de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a otimizar os processos de produção e melhorar o rendimento do produto.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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