Wafer SiC semi-isolante de 6 polegadas

Breve descrição:

O wafer semi-isolante de carboneto de silício (SiC) VET Energy de 6 polegadas é um substrato de alta qualidade ideal para uma ampla gama de aplicações de eletrônica de potência. A VET Energy emprega técnicas avançadas de crescimento para produzir wafers de SiC com excepcional qualidade de cristal, baixa densidade de defeitos e alta resistividade.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

O Wafer SiC Semi-isolante de 6 Polegadas da VET Energy é uma solução avançada para aplicações de alta potência e alta frequência, oferecendo condutividade térmica e isolamento elétrico superiores. Esses wafers semi-isolantes são essenciais no desenvolvimento de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de potência e outros componentes de alta tensão. A VET Energy garante qualidade e desempenho consistentes, tornando esses wafers ideais para uma ampla gama de processos de fabricação de semicondutores.

Além de suas excelentes propriedades isolantes, esses wafers de SiC são compatíveis com uma variedade de materiais, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi Wafer, tornando-os versáteis para diferentes tipos de processos de fabricação. Além disso, materiais avançados como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN podem ser usados ​​em combinação com esses wafers de SiC, proporcionando ainda maior flexibilidade em dispositivos eletrônicos de alta potência. Os wafers são projetados para integração perfeita com sistemas de manuseio padrão da indústria, como sistemas de cassete, garantindo facilidade de uso em ambientes de produção em massa.

A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.

O wafer SiC semi-isolante de 6 polegadas oferece várias vantagens:
Alta tensão de ruptura: O amplo bandgap do SiC permite tensões de ruptura mais altas, permitindo dispositivos de energia mais compactos e eficientes.
Operação em altas temperaturas: A excelente condutividade térmica do SiC permite a operação em temperaturas mais altas, melhorando a confiabilidade do dispositivo.
Baixa resistência: Os dispositivos SiC apresentam menor resistência, reduzindo as perdas de energia e melhorando a eficiência energética.

A VET Energy oferece wafers de SiC personalizáveis ​​para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes espessuras, níveis de dopagem e acabamentos superficiais. Nossa equipe de especialistas fornece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir seu sucesso.

第6页-36
第6页-35

ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Anterior:
  • Próximo:

  • Bate-papo on-line pelo WhatsApp!