O Wafer SiC Semi-isolante de 6 Polegadas da VET Energy é uma solução avançada para aplicações de alta potência e alta frequência, oferecendo condutividade térmica e isolamento elétrico superiores. Esses wafers semi-isolantes são essenciais no desenvolvimento de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de potência e outros componentes de alta tensão. A VET Energy garante qualidade e desempenho consistentes, tornando esses wafers ideais para uma ampla gama de processos de fabricação de semicondutores.
Além de suas excelentes propriedades isolantes, esses wafers de SiC são compatíveis com uma variedade de materiais, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi Wafer, tornando-os versáteis para diferentes tipos de processos de fabricação. Além disso, materiais avançados como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN podem ser usados em combinação com esses wafers de SiC, proporcionando ainda maior flexibilidade em dispositivos eletrônicos de alta potência. Os wafers são projetados para integração perfeita com sistemas de manuseio padrão da indústria, como sistemas de cassete, garantindo facilidade de uso em ambientes de produção em massa.
A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.
O wafer SiC semi-isolante de 6 polegadas oferece várias vantagens:
Alta tensão de ruptura: O amplo bandgap do SiC permite tensões de ruptura mais altas, permitindo dispositivos de energia mais compactos e eficientes.
Operação em altas temperaturas: A excelente condutividade térmica do SiC permite a operação em temperaturas mais altas, melhorando a confiabilidade do dispositivo.
Baixa resistência: Os dispositivos SiC apresentam menor resistência, reduzindo as perdas de energia e melhorando a eficiência energética.
A VET Energy oferece wafers de SiC personalizáveis para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes espessuras, níveis de dopagem e acabamentos superficiais. Nossa equipe de especialistas fornece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir seu sucesso.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borda de wafer | Chanfrar |
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
Recuos | Nenhum permitido | ||||
Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | ||
Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
Exclusão de borda | 3mm |