6-calowy wafel SiC typu N

Krótki opis:

6-calowy wafel SiC typu N firmy VET Energy to wysokowydajne podłoże przeznaczone do zaawansowanych zastosowań półprzewodników, oferujące doskonałą przewodność cieplną i wydajność energetyczną. VET Energy wykorzystuje najnowocześniejsze technologie do produkcji wysokiej jakości płytek, które spełniają rygorystyczne wymagania współczesnej elektroniki, zapewniając niezawodność i trwałość urządzeń zasilających.

Wyślij e-mail do nas Pobierz jako plik PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Ten 6-calowy wafel SiC typu N został zaprojektowany z myślą o zwiększonej wydajności w ekstremalnych warunkach, co czyni go idealnym wyborem do zastosowań wymagających dużej mocy i odporności na temperaturę. Kluczowe produkty związane z tą płytką obejmują wafel Si, podłoże SiC, wafel SOI i podłoże SiN. Materiały te zapewniają optymalną wydajność w różnych procesach produkcji półprzewodników, dzięki czemu urządzenia są zarówno energooszczędne, jak i trwałe.

Dla firm pracujących z płytkami Epi, tlenkiem galu Ga2O3, kasetami lub płytkami AlN, 6-calowe płytki SiC typu N firmy VET Energy stanowią niezbędną podstawę do innowacyjnego rozwoju produktów. Niezależnie od tego, czy chodzi o elektronikę dużej mocy, czy najnowszą technologię RF, płytki te zapewniają doskonałą przewodność i minimalny opór cieplny, przesuwając granice wydajności i wydajności.

SPECYFIKACJA WAFERÓW

*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący

Przedmiot	8-calowy	6-calowy			4-calowy
Przedmiot	nP	popołudniu	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Łuk(GF3YFCD)-Wartość absolutna	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Wypaczenie (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Krawędź wafla	Fazowanie

WYKOŃCZENIE POWIERZCHNI

*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący

Przedmiot	8-calowy	6-calowy			4-calowy
	nP	popołudniu	n-Ps	SI	SI
Wykończenie powierzchni	Dwustronny lakier optyczny, Si-Face CMP
Chropowatość powierzchni	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm Powierzchnia C Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm Powierzchnia C Ra≤0,5nm
Chipy krawędziowe	Brak Dozwolone (długość i szerokość ≥0,5 mm)
Wcięcia	Brak Dozwolone
Zadrapania (Si-Face)	Ilość ≤5, skumulowane Długość ≤0,5 × średnica płytki	Ilość ≤5, skumulowane Długość ≤0,5 × średnica płytki			Ilość ≤5, skumulowane Długość ≤0,5 × średnica płytki
Spękanie	Brak Dozwolone
Wykluczenie krawędzi	3mm