4 tommers GaAs Wafer

4-tommers GaAs Wafer fra VET Energy er et essensielt materiale for høyhastighets- og optoelektroniske enheter, inkludert RF-forsterkere, LED-er og solceller. Disse skivene er kjent for sin høye elektronmobilitet og evne til å operere ved høyere frekvenser, noe som gjør dem til en nøkkelkomponent i avanserte halvlederapplikasjoner. VET Energy sikrer toppkvalitets GaAs-wafere med jevn tykkelse og minimale defekter, egnet for en rekke krevende produksjonsprosesser.

Disse 4 tommers GaAs wafere er kompatible med forskjellige halvledermaterialer som Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer og SiN Substrate, noe som gjør dem allsidige for integrering i forskjellige enhetsarkitekturer. Enten de brukes til Epi Wafer-produksjon eller sammen med banebrytende materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, tilbyr de et pålitelig grunnlag for neste generasjons elektronikk. I tillegg er skivene fullt kompatible med kassettbaserte håndteringssystemer, noe som sikrer jevn drift i både forskningsmiljøer og produksjonsmiljøer med høyt volum.

VET Energy tilbyr en omfattende portefølje av halvledersubstrater, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Vår mangfoldige produktlinje imøtekommer behovene til ulike elektroniske applikasjoner, fra kraftelektronikk til RF og optoelektronikk.

VET Energy tilbyr tilpassbare GaAs-wafere for å møte dine spesifikke krav, inkludert forskjellige dopingnivåer, orienteringer og overflatefinish. Vårt ekspertteam gir teknisk støtte og ettersalgsservice for å sikre din suksess.