Den 6-tommers halvisolerende SiC-skiven fra VET Energy er en avansert løsning for høyeffekt- og høyfrekvente applikasjoner, og tilbyr overlegen varmeledningsevne og elektrisk isolasjon. Disse halvisolerende skivene er essensielle i utviklingen av enheter som RF-forsterkere, strømbrytere og andre høyspentkomponenter. VET Energy sikrer jevn kvalitet og ytelse, noe som gjør disse skivene ideelle for et bredt spekter av halvlederfremstillingsprosesser.
I tillegg til deres enestående isolerende egenskaper, er disse SiC-platene kompatible med en rekke materialer, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate og Epi Wafer, noe som gjør dem allsidige for forskjellige typer produksjonsprosesser. Videre kan avanserte materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer brukes i kombinasjon med disse SiC-platene, noe som gir enda større fleksibilitet i elektroniske enheter med høy effekt. Skivene er designet for sømløs integrasjon med industristandard håndteringssystemer som kassettsystemer, noe som sikrer brukervennlighet i masseproduksjonsmiljøer.
VET Energy tilbyr en omfattende portefølje av halvledersubstrater, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Vår mangfoldige produktlinje imøtekommer behovene til ulike elektroniske applikasjoner, fra kraftelektronikk til RF og optoelektronikk.
6 tommers halvisolerende SiC-wafer gir flere fordeler:
Høy sammenbruddsspenning: Det brede båndgapet til SiC muliggjør høyere sammenbruddsspenninger, noe som gir mer kompakte og effektive strømenheter.
Høytemperaturdrift: SiCs utmerkede varmeledningsevne muliggjør drift ved høyere temperaturer, noe som forbedrer enhetens pålitelighet.
Lav på-motstand: SiC-enheter viser lavere på-motstand, reduserer strømtap og forbedrer energieffektiviteten.
VET Energy tilbyr tilpassbare SiC-wafere for å møte dine spesifikke krav, inkludert forskjellige tykkelser, dopingnivåer og overflatefinish. Vårt ekspertteam gir teknisk støtte og ettersalgsservice for å sikre din suksess.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasing |
OVERFLATEBEHANDLING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Overflatefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overflateruhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillatt (lengde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Innrykk | Ingen tillatt | ||||
Riper (Si-Face) | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | ||
Sprekker | Ingen tillatt | ||||
Kantekskludering | 3 mm |