6 tommers halvisolerende SiC Wafer

Kort beskrivelse:

VET Energy 6 tommers semi-isolerende silisiumkarbid (SiC) wafer er et høykvalitets substrat som er ideelt for et bredt spekter av kraftelektronikkapplikasjoner. VET Energy bruker avanserte vekstteknikker for å produsere SiC-skiver med eksepsjonell krystallkvalitet, lav defekttetthet og høy resistivitet.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Den 6-tommers halvisolerende SiC-skiven fra VET Energy er en avansert løsning for høyeffekt- og høyfrekvente applikasjoner, og tilbyr overlegen varmeledningsevne og elektrisk isolasjon. Disse halvisolerende skivene er essensielle i utviklingen av enheter som RF-forsterkere, strømbrytere og andre høyspentkomponenter. VET Energy sikrer jevn kvalitet og ytelse, noe som gjør disse skivene ideelle for et bredt spekter av halvlederfremstillingsprosesser.

I tillegg til deres enestående isolerende egenskaper, er disse SiC-platene kompatible med en rekke materialer, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate og Epi Wafer, noe som gjør dem allsidige for forskjellige typer produksjonsprosesser. Videre kan avanserte materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer brukes i kombinasjon med disse SiC-platene, noe som gir enda større fleksibilitet i elektroniske enheter med høy effekt. Skivene er designet for sømløs integrasjon med industristandard håndteringssystemer som kassettsystemer, noe som sikrer brukervennlighet i masseproduksjonsmiljøer.

VET Energy tilbyr en omfattende portefølje av halvledersubstrater, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Vår mangfoldige produktlinje imøtekommer behovene til ulike elektroniske applikasjoner, fra kraftelektronikk til RF og optoelektronikk.

6 tommers halvisolerende SiC-wafer gir flere fordeler:
Høy sammenbruddsspenning: Det brede båndgapet til SiC muliggjør høyere sammenbruddsspenninger, noe som gir mer kompakte og effektive strømenheter.
Høytemperaturdrift: SiCs utmerkede varmeledningsevne muliggjør drift ved høyere temperaturer, noe som forbedrer enhetens pålitelighet.
Lav på-motstand: SiC-enheter viser lavere på-motstand, reduserer strømtap og forbedrer energieffektiviteten.

VET Energy tilbyr tilpassbare SiC-wafere for å møte dine spesifikke krav, inkludert forskjellige tykkelser, dopingnivåer og overflatefinish. Vårt ekspertteam gir teknisk støtte og ettersalgsservice for å sikre din suksess.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Fasing

OVERFLATEBEHANDLING

*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Overflatefinish

Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP

Overflateruhet

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Edge Chips

Ingen tillatt (lengde og bredde≥0,5 mm)

Innrykk

Ingen tillatt

Riper (Si-Face)

Antall.≤5,kumulativ
Lengde≤0,5×wafer diameter

Antall.≤5,kumulativ
Lengde≤0,5×wafer diameter

Antall.≤5,kumulativ
Lengde≤0,5×wafer diameter

Sprekker

Ingen tillatt

Kantekskludering

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp nettprat!