ຂ່າວ

ແນະນໍາການຜະລິດ semiconductor GaN ແລະເຕັກໂນໂລຊີ epitaxial ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-25
1. ເທກໂນໂລຍີ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ ເຕັກໂນໂລຊີ semiconductor ຮຸ່ນທໍາອິດໄດ້ຖືກພັດທະນາໂດຍອີງໃສ່ວັດສະດຸ semiconductor ເຊັ່ນ Si ແລະ Ge. ມັນເປັນພື້ນຖານວັດສະດຸສໍາລັບການພັດທະນາຂອງ transistors ແລະເຕັກໂນໂລຊີວົງຈອນປະສົມປະສານ. ວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທໍາອິດໄດ້ວາງ f ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການສຶກສາຈໍາລອງຕົວເລກກ່ຽວກັບຜົນກະທົບຂອງ graphite porous ກ່ຽວກັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ silicon carbide
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-18
ຂະບວນການພື້ນຖານຂອງການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ແບ່ງອອກເປັນ sublimation ແລະ decomposition ຂອງວັດຖຸດິບໃນອຸນຫະພູມສູງ, ການຂົນສົ່ງຂອງສານໄລຍະອາຍແກັສພາຍໃຕ້ການປະຕິບັດຂອງ gradient ອຸນຫະພູມ, ແລະການຂະຫຍາຍຕົວ recrystallization ຂອງສານໄລຍະອາຍແກັສຢູ່ທີ່ໄປເຊຍກັນແກ່ນ. ອີງຕາມການນີ້, ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ປະເພດຂອງ Graphite ພິເສດ
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-17
graphite ພິເສດແມ່ນຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລະມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງວັດສະດຸ graphite ແລະມີຄວາມຕ້ານທານ corrosion ທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະການນໍາໄຟຟ້າທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່. ມັນແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite ທໍາມະຊາດຫຼືປອມຫຼັງຈາກການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະການປຸງແຕ່ງຄວາມກົດດັນສູງ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການວິເຄາະອຸປະກອນການຝາກຮູບເງົາບາງ - ຫຼັກການແລະການນໍາໃຊ້ຂອງອຸປະກອນ PECVD / LPCVD / ALD
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-06-12
ການຕົກຄ້າງຂອງຮູບເງົາບາງແມ່ນການເຄືອບຊັ້ນຂອງຮູບເງົາກ່ຽວກັບອຸປະກອນການ substrate ຕົ້ນຕໍຂອງ semiconductor. ຮູບເງົານີ້ສາມາດເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸຕ່າງໆ, ເຊັ່ນ: insulating compound silicon dioxide, semiconductor polysilicon, ທອງແດງໂລຫະ, ແລະອື່ນໆອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການເຄືອບແມ່ນເອີ້ນວ່າບາງ film deposition ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ກໍານົດຄຸນນະພາບຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline - ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-06-12
ຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline ແມ່ນປະຕິບັດຢ່າງສົມບູນໃນພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ. ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແມ່ນເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນແລະປະສິດທິພາບການໄປເຊຍກັນສູງ. ການອອກແບບຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນກໍານົດການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມ gradients ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຄວາມຫຍຸ້ງຍາກທາງດ້ານເຕັກນິກຂອງເຕົາອົບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິຄອນ carbide ແມ່ນຫຍັງ?
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-07
ເຕົາອົບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກແມ່ນອຸປະກອນຫຼັກສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິຄອນຄາໄບໄປເຊຍກັນ. ມັນຄ້າຍຄືກັນກັບເຕົາອົບການຈະເລີນເຕີບໂຕໄປເຊຍກັນລະດັບຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ. ໂຄງສ້າງ furnace ແມ່ນບໍ່ສັບສົນຫຼາຍ. ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍຮ່າງກາຍ furnace, ລະບົບຄວາມຮ້ອນ, ກົນໄກການສົ່ງ coil ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ແມ່ນຫຍັງຄືຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຊັ້ນ epitaxial silicon carbide
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-06-05
ເທກໂນໂລຍີຫຼັກສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງວັດສະດຸ SiC epitaxial ທໍາອິດແມ່ນເຕັກໂນໂລຊີການຄວບຄຸມຂໍ້ບົກພ່ອງ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນສໍາລັບເຕັກໂນໂລຊີການຄວບຄຸມຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອຸປະກອນຫຼືການເຊື່ອມໂຊມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື. ການສຶກສາກົນໄກຂອງຂໍ້ບົກຜ່ອງ substrate ຂະຫຍາຍເຂົ້າໄປໃນ epi...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ເມັດພືດທີ່ມີທາດອົກຊີຊິດແລະເຕັກໂນໂລຢີການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial-Ⅱ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-05-30
3. Epitaxial ຮູບເງົາບາງໆການຂະຫຍາຍຕົວ substrate ສະຫນອງຊັ້ນສະຫນັບສະຫນູນທາງດ້ານຮ່າງກາຍຫຼືຊັ້ນ conductive ສໍາລັບອຸປະກອນພະລັງງານ Ga2O3. ຊັ້ນທີ່ສໍາຄັນຕໍ່ໄປແມ່ນຊັ້ນຊ່ອງທາງຫຼືຊັ້ນ epitaxial ທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານແຮງດັນແລະການຂົນສົ່ງຜູ້ຂົນສົ່ງ. ເພື່ອເພີ່ມແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກແລະຫຼຸດຜ່ອນການເຊື່ອມຕໍ່ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Gallium oxide ໄປເຊຍກັນດຽວແລະເຕັກໂນໂລຊີການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-05-30
ແຜ່ນ semiconductors ກວ້າງ (WBG) ທີ່ເປັນຕົວແທນໂດຍ silicon carbide (SiC) ແລະ gallium nitride (GaN) ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ປະຊາຊົນມີຄວາມຄາດຫວັງສູງສໍາລັບຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຊິລິໂຄນ carbide ໃນຍານພາຫະນະໄຟຟ້າແລະຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ gallium ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ