실리콘 웨이퍼의 VET Energy GaN은 무선 주파수(RF) 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 최첨단 반도체 솔루션입니다. VET Energy는 실리콘 기판에 고품질 질화갈륨(GaN)을 에피택셜 성장시켜 다양한 RF 장치를 위한 비용 효율적인 고성능 플랫폼을 제공합니다.
이 GaN on Silicon 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼 및 SiN 기판과 같은 다른 재료와 호환되어 다양한 제조 공정에 대한 다양성을 확장합니다. 또한 Epi 웨이퍼와 산화갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 고급 소재와 함께 사용하도록 최적화되어 고전력 전자 장치의 응용 분야를 더욱 향상시킵니다. 웨이퍼는 사용 편의성과 생산 효율성 향상을 위해 표준 카세트 처리를 사용하여 제조 시스템에 원활하게 통합되도록 설계되었습니다.
VET Energy는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼, 산화갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼를 포함한 포괄적인 반도체 기판 포트폴리오를 제공합니다. 당사의 다양한 제품 라인은 전력 전자공학부터 RF 및 광전자공학에 이르기까지 다양한 전자 응용 분야의 요구 사항을 충족합니다.
실리콘 웨이퍼의 GaN은 RF 애플리케이션에 여러 가지 이점을 제공합니다.
• 고주파 성능:GaN의 넓은 밴드갭과 높은 전자 이동도는 고주파수 작동을 가능하게 하여 5G 및 기타 고속 통신 시스템에 이상적입니다.
• 높은 전력 밀도:GaN 장치는 기존 실리콘 기반 장치에 비해 더 높은 전력 밀도를 처리할 수 있어 보다 작고 효율적인 RF 시스템을 만들 수 있습니다.
• 낮은 전력 소비:GaN 장치는 전력 소비가 낮기 때문에 에너지 효율이 향상되고 열 방출이 줄어듭니다.
신청:
• 5G 무선 통신:실리콘 웨이퍼의 GaN은 고성능 5G 기지국 및 모바일 장치를 구축하는 데 필수적입니다.
• 레이더 시스템:GaN 기반 RF 증폭기는 높은 효율성과 넓은 대역폭을 위해 레이더 시스템에 사용됩니다.
• 위성 통신:GaN 장치는 고전력 및 고주파 위성 통신 시스템을 가능하게 합니다.
• 군용 전자제품:GaN 기반 RF 부품은 전자전, 레이더 시스템과 같은 군사 애플리케이션에 사용됩니다.
VET Energy는 다양한 도핑 수준, 두께 및 웨이퍼 크기를 포함한 특정 요구 사항을 충족하기 위해 맞춤형 GaN on Silicon 웨이퍼를 제공합니다. 우리의 전문가 팀은 귀하의 성공을 보장하기 위해 기술 지원 및 애프터 서비스를 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
웨이퍼 에지 | 베벨링 |
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
균열 | 허용되지 않음 | ||||
가장자리 제외 | 3mm |