반도체 제조용 12인치 실리콘 웨이퍼

간단한 설명:

VET Energy 12인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조산업의 핵심 기초소재입니다. VET Energy는 고급 CZ 성장 기술을 사용하여 웨이퍼의 결정 품질이 우수하고 결함 밀도가 낮으며 균일성이 높음을 보장하여 반도체 장치에 견고하고 안정적인 기판을 제공합니다.


제품 세부정보

제품 태그

VET Energy가 제공하는 반도체 제조용 12인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업에서 요구되는 정확한 표준을 충족하도록 설계되었습니다. 당사 라인업의 주요 제품 중 하나인 VET Energy는 이러한 웨이퍼가 정확한 평탄도, 순도 및 표면 품질로 생산되도록 보장하여 마이크로칩, 센서 및 고급 전자 장치를 포함한 최첨단 반도체 응용 분야에 이상적입니다.

이 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 재료와 호환되어 다양한 제조 공정에 탁월한 다양성을 제공합니다. 또한 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 고급 기술과 잘 결합되어 고도로 전문화된 응용 분야에 통합될 수 있습니다. 원활한 작동을 위해 웨이퍼는 산업 표준 카세트 시스템과 함께 사용하도록 최적화되어 반도체 제조에서 효율적인 처리를 보장합니다.

VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한 SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재와 산화갈륨 Ga2O3, AlN Wafer 등의 새로운 Wide Bandgap 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 이러한 제품은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 및 기타 분야에서 다양한 고객의 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.

적용 분야:
논리 칩:CPU, GPU 등 고성능 로직 칩을 제조합니다.
메모리 칩:DRAM, NAND Flash 등 메모리 칩 제조.
아날로그 칩:ADC, DAC 등 아날로그 칩을 제조합니다.
센서:MEMS 센서, 이미지 센서 등

VET Energy는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공하며 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 및 기타 사양으로 웨이퍼를 맞춤화할 수 있습니다. 또한 고객이 생산 프로세스를 최적화하고 제품 수율을 향상시킬 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터 서비스도 제공합니다.

제6장-36절
제6장-35절

웨이퍼링 사양

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

활(GF3YFCD)-절대값

15μm 이하

15μm 이하

≤25μm

15μm 이하

워프(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

웨이퍼 에지

베벨링

표면 마감

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

표면 마감

양면 광학 광택제, Si- Face CMP

표면 거칠기

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-페이스 Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm
C면 Ra≤0.5nm

엣지 칩

없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm)

들여쓰기

허용되지 않음

스크래치(Si-Face)

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

균열

허용되지 않음

가장자리 제외

3mm

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