VET Energy가 제공하는 반도체 제조용 12인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업에서 요구되는 정확한 표준을 충족하도록 설계되었습니다. 당사 라인업의 주요 제품 중 하나인 VET Energy는 이러한 웨이퍼가 정확한 평탄도, 순도 및 표면 품질로 생산되도록 보장하여 마이크로칩, 센서 및 고급 전자 장치를 포함한 최첨단 반도체 응용 분야에 이상적입니다.
이 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 재료와 호환되어 다양한 제조 공정에 탁월한 다양성을 제공합니다. 또한 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 고급 기술과 잘 결합되어 고도로 전문화된 응용 분야에 통합될 수 있습니다. 원활한 작동을 위해 웨이퍼는 업계 표준 카세트 시스템과 함께 사용하도록 최적화되어 반도체 제조 시 효율적인 처리를 보장합니다.
VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한 SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재와 산화갈륨 Ga2O3, AlN Wafer 등의 새로운 Wide Bandgap 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 이러한 제품은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 및 기타 분야에서 다양한 고객의 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
적용 분야:
•논리 칩:CPU, GPU 등 고성능 로직 칩을 제조합니다.
•메모리 칩:DRAM, NAND Flash 등 메모리 칩 제조.
•아날로그 칩:ADC, DAC 등 아날로그 칩을 제조합니다.
•센서:MEMS 센서, 이미지 센서 등
VET Energy는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공하며 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 및 기타 사양으로 웨이퍼를 맞춤화할 수 있습니다. 또한 고객이 생산 프로세스를 최적화하고 제품 수율을 향상시킬 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터 서비스도 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
웨이퍼 에지 | 베벨링 |
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
균열 | 허용되지 않음 | ||||
가장자리 제외 | 3mm |