VET Energy의 6인치 반절연 SiC 웨이퍼는 고전력 및 고주파 애플리케이션을 위한 고급 솔루션으로 뛰어난 열 전도성과 전기 절연성을 제공합니다. 이러한 반절연 웨이퍼는 RF 증폭기, 전원 스위치 및 기타 고전압 부품과 같은 장치 개발에 필수적입니다. VET Energy는 일관된 품질과 성능을 보장하여 이러한 웨이퍼를 광범위한 반도체 제조 공정에 이상적으로 만듭니다.
뛰어난 절연 특성 외에도 이러한 SiC 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판 및 Epi 웨이퍼를 포함한 다양한 재료와 호환되므로 다양한 유형의 제조 공정에 다용도로 사용할 수 있습니다. 또한, 산화갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 첨단 소재를 이러한 SiC 웨이퍼와 함께 사용할 수 있어 고전력 전자 장치에 훨씬 더 큰 유연성을 제공할 수 있습니다. 웨이퍼는 카세트 시스템과 같은 업계 표준 처리 시스템과 완벽하게 통합되도록 설계되어 대량 생산 환경에서 사용이 용이합니다.
VET Energy는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼, 산화갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼를 포함한 포괄적인 반도체 기판 포트폴리오를 제공합니다. 당사의 다양한 제품 라인은 전력 전자공학부터 RF 및 광전자공학에 이르기까지 다양한 전자 응용 분야의 요구 사항을 충족합니다.
6인치 반절연 SiC 웨이퍼는 다음과 같은 몇 가지 장점을 제공합니다.
높은 항복 전압: SiC의 넓은 밴드갭은 더 높은 항복 전압을 가능하게 하여 더 작고 효율적인 전력 장치를 가능하게 합니다.
고온 작동: SiC의 탁월한 열 전도성으로 인해 더 높은 온도에서 작동이 가능해 장치 신뢰성이 향상됩니다.
낮은 온 저항: SiC 장치는 더 낮은 온 저항을 나타내어 전력 손실을 줄이고 에너지 효율성을 향상시킵니다.
VET Energy는 다양한 두께, 도핑 수준, 표면 마감 등 특정 요구 사항을 충족하는 맞춤형 SiC 웨이퍼를 제공합니다. 우리의 전문가 팀은 귀하의 성공을 보장하기 위해 기술 지원 및 애프터 서비스를 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
웨이퍼 에지 | 베벨링 |
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
균열 | 허용되지 않음 | ||||
가장자리 제외 | 3mm |