8인치 P형 실리콘 웨이퍼

간단한 설명:

VET Energy의 탁월함을 상징하는 프리미엄급 8인치 P형 실리콘 웨이퍼를 소개합니다. P형 도핑 프로파일을 갖춘 이 뛰어난 웨이퍼는 최고 수준의 품질과 성능을 충족하도록 세심하게 설계되었습니다.


제품 세부정보

제품 태그

VET Energy의 8인치 P형 실리콘 웨이퍼는 태양전지, MEMS 장치 및 집적 회로를 포함한 광범위한 반도체 응용 분야용으로 설계된 고성능 실리콘 웨이퍼입니다. 탁월한 전기 전도성과 일관된 성능으로 잘 알려진 이 웨이퍼는 안정적이고 효율적인 전자 부품을 생산하려는 제조업체가 선호하는 선택입니다. VET Energy는 최적의 장치 제조를 위해 정확한 도핑 수준과 고품질 표면 마감을 보장합니다.

이 8인치 P형 실리콘 웨이퍼는 SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판과 같은 다양한 재료와 완벽하게 호환되며 Epi 웨이퍼 성장에 적합하여 고급 반도체 제조 공정의 다양성을 보장합니다. 웨이퍼는 또한 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 다른 첨단 소재와 함께 사용할 수 있어 차세대 전자 응용 분야에 이상적입니다. 견고한 디자인은 카세트 기반 시스템에도 완벽하게 들어맞아 효율적인 대량 생산 처리를 보장합니다.

VET Energy는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공합니다. 우리는 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 등을 가진 웨이퍼를 맞춤화할 수 있습니다. 또한 고객이 생산 과정에서 직면하는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터 서비스도 제공합니다.

6장-36절
제6장-35절

웨이퍼링 사양

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

활(GF3YFCD)-절대값

15μm 이하

15μm 이하

≤25μm

15μm 이하

워프(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

웨이퍼 에지

베벨링

표면 마감

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

표면 마감

양면 광학 광택제, Si- Face CMP

표면 거칠기

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-페이스 Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm
C면 Ra≤0.5nm

엣지 칩

없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm)

들여쓰기

허용되지 않음

스크래치(Si-Face)

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량 ≤5, 누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

균열

허용되지 않음

가장자리 제외

3mm

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