VET Energy의 4인치 GaAs 웨이퍼는 RF 증폭기, LED, 태양전지 등 고속 광전자 장치에 필수적인 소재입니다. 이러한 웨이퍼는 높은 전자 이동성과 더 높은 주파수에서 작동할 수 있는 능력으로 알려져 있어 고급 반도체 응용 분야의 핵심 구성 요소입니다. VET 에너지는 다양한 까다로운 제조 공정에 적합한 균일한 두께와 최소한의 결함으로 최고 품질의 GaAs 웨이퍼를 보장합니다.
이 4인치 GaAs 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼 및 SiN 기판과 같은 다양한 반도체 재료와 호환되므로 다양한 장치 아키텍처에 통합할 수 있습니다. Epi 웨이퍼 생산에 사용되거나 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 최첨단 재료와 함께 사용되는 이 제품은 차세대 전자 장치를 위한 안정적인 기반을 제공합니다. 또한 웨이퍼는 카세트 기반 처리 시스템과 완벽하게 호환되므로 연구 및 대량 제조 환경 모두에서 원활한 작동을 보장합니다.
VET Energy는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼, 산화갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼를 포함한 포괄적인 반도체 기판 포트폴리오를 제공합니다. 당사의 다양한 제품 라인은 전력 전자공학부터 RF 및 광전자공학에 이르기까지 다양한 전자 응용 분야의 요구 사항을 충족합니다.
VET Energy는 다양한 도핑 수준, 방향 및 표면 마감을 포함한 특정 요구 사항을 충족하기 위해 맞춤형 GaAs 웨이퍼를 제공합니다. 우리의 전문가 팀은 귀하의 성공을 보장하기 위해 기술 지원 및 애프터 서비스를 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| 활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 가장자리 제외 | 3mm | ||||
