VET Energy 12인치 SOI 웨이퍼는 고성능 반도체 기판 소재로 우수한 전기적 특성과 독특한 구조로 많은 사랑을 받고 있습니다. VET Energy는 고급 SOI 웨이퍼 제조 공정을 사용하여 웨이퍼의 누설 전류가 매우 낮고 속도가 빠르며 방사선 저항이 높도록 보장하여 고성능 집적 회로를 위한 견고한 기반을 제공합니다.
VET Energy의 제품 라인은 SOI 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한 Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재와 산화갈륨 Ga2O3, AlN Wafer 등 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 이러한 제품은 전력 전자, RF, 센서 및 기타 분야에서 다양한 고객의 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
우수성에 초점을 맞춘 당사의 SOI 웨이퍼는 산화 갈륨 Ga2O3, 카세트 및 AlN 웨이퍼와 같은 고급 소재를 사용하여 모든 운영 수준에서 신뢰성과 효율성을 보장합니다. 기술 발전의 길을 닦는 최첨단 솔루션을 제공하는 VET Energy를 신뢰하십시오.
VET Energy 12인치 SOI 웨이퍼의 뛰어난 성능으로 프로젝트의 잠재력을 발휘하십시오. 품질, 정밀성 및 혁신을 구현하는 웨이퍼로 혁신 역량을 강화하여 역동적인 반도체 기술 분야에서 성공의 기반을 마련하십시오. 기대 이상의 프리미엄 SOI 웨이퍼 솔루션을 원하시면 VET Energy를 선택하세요.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
웨이퍼 에지 | 베벨링 |
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
균열 | 허용되지 않음 | ||||
가장자리 제외 | 3mm |