이 6인치 N형 SiC 웨이퍼는 극한 조건에서 향상된 성능을 제공하도록 설계되어 높은 전력 및 온도 저항이 필요한 응용 분야에 이상적인 선택입니다. 이 웨이퍼와 관련된 주요 제품에는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼 및 SiN 기판이 포함됩니다. 이러한 재료는 다양한 반도체 제조 공정에서 최적의 성능을 보장하여 에너지 효율적이고 내구성이 뛰어난 장치를 가능하게 합니다.
Epi 웨이퍼, 산화갈륨 Ga2O3, 카세트 또는 AlN 웨이퍼를 사용하는 기업의 경우 VET Energy의 6인치 N형 SiC 웨이퍼는 혁신적인 제품 개발에 필요한 기반을 제공합니다. 고전력 전자 장치이든 최신 RF 기술이든 이러한 웨이퍼는 탁월한 전도성과 최소한의 열 저항을 보장하여 효율성과 성능의 한계를 뛰어 넘습니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| 활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 가장자리 제외 | 3mm | ||||
