SiC 웨이퍼의 4인치 GaN

간단한 설명:

VET Energy의 SiC 웨이퍼 기반 4인치 GaN은 전력 전자 분야의 혁신적인 제품입니다. 이 웨이퍼는 탄화규소(SiC)의 우수한 열 전도성과 질화갈륨(GaN)의 높은 전력 밀도 및 낮은 손실을 결합하여 고주파수, 고전력 장치를 만드는 데 이상적인 선택입니다. VET Energy는 첨단 MOCVD 에피택셜 기술을 통해 웨이퍼의 우수한 성능과 일관성을 보장합니다.

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제품 세부정보

제품 태그

VET Energy의 제품 라인은 SiC 웨이퍼의 GaN에만 국한되지 않습니다. 또한 Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재를 제공하고 있습니다. 또한, 산화갈륨 Ga2O3, AlN 등 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재 개발도 활발히 진행하고 있습니다. 고성능 장치에 대한 미래 전력 전자 산업의 요구를 충족시키는 웨이퍼.

VET Energy는 유연한 맞춤 서비스를 제공하며, 고객의 특정 요구에 따라 다양한 두께, 다양한 도핑 유형, 다양한 웨이퍼 크기의 GaN 에피택셜 레이어를 맞춤 설정할 수 있습니다. 또한 고객이 고성능 전력전자기기를 신속하게 개발할 수 있도록 전문적인 기술지원과 애프터서비스도 제공하고 있습니다.

웨이퍼링 사양

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

목	8인치	6인치			4인치
목	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
활(GF3YFCD)-절대값	15μm 이하	15μm 이하	≤25μm		15μm 이하
워프(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
웨이퍼 에지	베벨링

표면 마감

*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연

목	8인치	6인치			4인치
	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
표면 마감	양면 광학 광택제, Si- Face CMP
표면 거칠기	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-페이스 Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm C면 Ra≤0.5nm
엣지 칩	없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm)
들여쓰기	허용되지 않음
스크래치(Si-Face)	수량 ≤5, 누적 길이≤0.5×웨이퍼 직경	수량 ≤5, 누적 길이≤0.5×웨이퍼 직경			수량 ≤5, 누적 길이≤0.5×웨이퍼 직경
균열	허용되지 않음
가장자리 제외	3mm