VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한 SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재와 산화갈륨 Ga2O3, AlN Wafer 등의 새로운 Wide Bandgap 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 이러한 제품은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 및 기타 분야에서 다양한 고객의 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
응용 분야:
•집적 회로:P형 실리콘 웨이퍼는 집적회로 제조의 기초 소재로 다양한 논리회로, 메모리 등에 널리 사용됩니다.
•전원 장치:P형 실리콘 웨이퍼는 전력 트랜지스터, 다이오드 등의 전력 소자를 만드는 데 사용될 수 있습니다.
•센서:P형 실리콘 웨이퍼는 압력 센서, 온도 센서 등과 같은 다양한 유형의 센서를 만드는 데 사용할 수 있습니다.
•태양전지:P형 실리콘 웨이퍼는 태양전지의 중요한 부품이다.
VET Energy는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공하며 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 및 기타 사양으로 웨이퍼를 맞춤화할 수 있습니다. 또한 고객이 생산 과정에서 직면하는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터 서비스도 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| 활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 가장자리 제외 | 3mm | ||||
